RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

메모리 (70500)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	프로그래밍 프로그래밍 유형	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	컨트롤러 컨트롤러	sic 프로그램 가능
FM27C512ve150	-	RFQ	1501	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	FM27C512	eprom -otp		4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (14x11.46)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0071	1			비 비	512kbit	150 ns	eprom	64k x 8	평행한	-
XC17S30AVO8C	-	RFQ	3204	AMD	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	XC17S30		확인되지 확인되지	3V ~ 3.6V	8-tsop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0061	98		OTP		300KB
71342SA55PFI8	-	RFQ	6089	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP	71342SA	sram-이중-, 비동기		4.5V ~ 5.5V	64-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0041	750			휘발성 휘발성	32kbit	55 ns	SRAM	4K X 8	평행한	55ns
AT25DF161-SSH-B	-	RFQ	6599	adesto 기술	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AT25DF161	플래시		2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.32.0071	98	100MHz		비 비	16mbit		플래시	2m x 8	SPI	7µs, 3ms
FT24C04A-USR-T	0.1300	RFQ	596	Fremont Micro Devices Ltd	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	FT24C04	eeprom		1.8V ~ 5.5V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500	1MHz		비 비	4kbit	550 ns	eeprom	512 x 8	i²c	5ms
AT49BV320C-70TI	-	RFQ	1952	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	AT49BV320	플래시		2.65V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	96			비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	120µs
S29GL128S10TFIV10	13.1600	RFQ	7	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29GL128	플래시 - 아니오		1.65V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S29GL128S10TFIV10	3A991B1A	8542.32.0050	40			비 비	128mbit	100 ns	플래시	8m x 16	평행한	60ns		확인되지 확인되지
CG9068AM	-	RFQ	6070	인피온 인피온	-	대부분	sic에서 중단되었습니다									-			영향을받지 영향을받지				1
IS25LQ080B-JNLE	-	RFQ	9553	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IS25LQ080	플래시 - 아니오		2.3V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	706-1331	귀 99	8542.32.0071	100	104 MHz		비 비	8mbit		플래시	1m x 8	spi-쿼드 i/o	1ms
MT28F400B5SG-8 BET TR	-	RFQ	3868	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	MT28F400B5	플래시 - 아니오		4.5V ~ 5.5V	44-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500			비 비	4mbit	80 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	80ns
MT47H32M16BN-25E IT : D TR	-	RFQ	1907	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2		1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (10x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz		휘발성 휘발성	512mbit	400 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
M25P128-VMF6TPB TR	-	RFQ	8356	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25P128	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	54 MHz		비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	15ms, 5ms
S29GL256P11TFI010	6.9900	RFQ	2059	스팬션	GL-P	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29GL256	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	1			비 비	256mbit	110 ns	플래시	32m x 8	평행한	110ns
S25FL256LAGBHI020	6.6400	RFQ	459	인피온 인피온	FL-L	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FL256	플래시 - 아니오		2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	338	133 MHz		비 비	256mbit		플래시	32m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-
MT53B512M32D2GZ-062 AIT : B TR	-	RFQ	8792	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4		1.1V	200-WFBGA (11x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	1.6GHz		휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
C-1066D3DR4RN/4G	30.0000	RFQ	7919	Prolebs	*	소매 소매	활동적인									-	rohs 준수			4932-C-1066D3DR4RN/4G	귀 99	8473.30.5100	1
AT25128B-XPDGV-T	-	RFQ	8042	마이크로 마이크로 기술	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AT25128	eeprom		2.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	5,000	5 MHz		비 비	128kbit		eeprom	16k x 8	SPI	5ms
24LC024-E/SN	0.4400	RFQ	573	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	24LC024	eeprom		2.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	100	400 kHz		비 비	2kbit	900 ns	eeprom	256 x 8	i²c	5ms
BR24T04F-WE2	0.2800	RFQ	700	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)	BR24T04	eeprom		1.6V ~ 5.5V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500	400 kHz		비 비	4kbit		eeprom	512 x 8	i²c	5ms
HM1-6642B-9	25.9700	RFQ	66	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	24-CDIP (0.600 ", 15.24mm)	HM1-6642	-		4.5V ~ 5.5V	24-SBDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A001A2C	8542.32.0071	1			비 비	4kbit	120 ns	무도회	512 x 8	-	-
MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR	-	RFQ	4136	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000
7006L55J	-	RFQ	4436	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	68-LCC (J-Lead)	7006L55	sram-이중-, 비동기		4.5V ~ 5.5V	68-PLCC (24.21x24.21)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	18			휘발성 휘발성	128kbit	55 ns	SRAM	16k x 8	평행한	55ns
R1LP0108ESN-5SR#B0	-	RFQ	5042	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-Soic (0.450 ", 11.40mm 너비)	R1LP0108	SRAM		4.5V ~ 5.5V	32-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1			휘발성 휘발성	1mbit	55 ns	SRAM	128k x 8	평행한	55ns
PM8607B-F3EI	-	RFQ	6319	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	활동적인	-	표면 표면	1085-BGA, FCBGA	PM8607			-	1085-FCBGA (27x27)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	40										nvme 컨트롤러
TH58NYG3S0HBAI4	9.5400	RFQ	76	Kioxia America, Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	TH58NYG3	플래시 -Nand (SLC)		1.7V ~ 1.95V	63-TFBGA (9x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	TH58NYG3S0HBAI4JDH	3A991B1A	8542.32.0051	210			비 비	8gbit	25 ns	플래시	1g x 8	평행한	25ns
W9751G6KB-25	-	RFQ	6038	윈 윈 전자 본드	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	W9751G6	sdram -ddr2		1.7V ~ 1.9V	84-WBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	W9751G6KB25	귀 99	8542.32.0036	209	400MHz		휘발성 휘발성	512mbit	400 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
gd25lq64enjgr	1.0811	RFQ	2294	Gigadevice ice (hk) 제한	GD25LQ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn n 패드		플래시 - 아니오 (SLC)		1.65V ~ 2V	8- 호스 (3x4)	다운로드				1970-gd25lq64enjgrtr			3,000	133 MHz		비 비	64mbit	6 ns	플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	60µs, 2.4ms
sm668pe4-ac	-	RFQ	4970	실리콘 실리콘, Inc.	-	쟁반	쓸모없는				sm668					다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8523.51.0000	1
AT25040B-XPD-T	-	RFQ	5601	마이크로 마이크로 기술	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AT25040	eeprom		2.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	5,000	5 MHz		비 비	4kbit		eeprom	512 x 8	SPI	5ms
sm671pec-adst	-	RFQ	5352	실리콘 실리콘, Inc.	-	쟁반	쓸모없는				sm671					다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8523.51.0000	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²