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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
054-51760-57	-	RFQ	2503	Renesas Electronics America Inc	-	대부분	쓸모없는								-	rohs 비준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1
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W25Q32JVTBJQ TR	-	RFQ	3451	윈 윈 전자 본드	Spiflash®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	W25Q32	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-TFBGA (8x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	W25Q32JVTBJQTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	비 비	32mbit		플래시	4m x 8	spi-쿼드 i/o	3ms
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cy7c1049cv33-15zxc	-	RFQ	9395	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1049	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	4mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	평행한	15ns
CAT25256VE-GT3	-	RFQ	4716	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	CAT25256	eeprom	2.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-CAT25256VE-GT3TR	귀 99	8542.32.0051	3,000	10MHz	비 비	256kbit		eeprom	32k x 8	SPI	5ms
BR93G76NUX-3BTTR	0.3500	RFQ	4	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-ufdfn 노출 패드	BR93G76	eeprom	1.7V ~ 5.5V	vson008x2030	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	4,000	3MHz	비 비	8kbit		eeprom	512 x 16	전자기	5ms
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멤 멤 -upg-c	145.0000	RFQ	7513	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-Mem-wave-upg-c	귀 99	8473.30.9100	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²