전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | sic 프로그램 가능 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S32800D-6BI | - | ![]() | 2686 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42S32800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | N25Q128A11EF840E | - | ![]() | 6016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | N25Q128A11 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 8-vdfpn (mlp8) (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-1559 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | Cy62137BV18LL-70BAI | 3.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL2 ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | Cy62137 | sram- 비동기 | 1.75V ~ 1.95V | 48-FBGA (7x7) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 70 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | cy7c199d-10vxi | 3.0700 | ![]() | 723 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) | Cy7c199 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,350 | 휘발성 휘발성 | 256kbit | 10 ns | SRAM | 32k x 8 | 평행한 | 10ns | ||||
![]() | MT53B768M32D4NQ-062 AIT : B TR | - | ![]() | 9970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53B768 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 768m x 32 | - | - | ||||
![]() | GD25WQ40EEIG | 0.4222 | ![]() | 3181 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | GD25WQ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-xfdfn 노출 패드 | 플래시 - 아니오 (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8- 호스 (3x2) | 다운로드 | 1970-gd25wq40eeigtrtrt | 3,000 | 104 MHz | 비 비 | 4mbit | 7 ns | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o | 120µs, 4ms | ||||||||
![]() | AT45DQ321-SHFHK-T | - | ![]() | 6296 | 0.00000000 | adesto 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | AT45DQ321 | 플래시 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 512 8 x 8192 페이지 | SPI | 8µs, 4ms | ||||
M95M01-DWDW3TP/K | 3.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | M95M01 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 16MHz | 비 비 | 1mbit | eeprom | 128k x 8 | SPI | 4ms | |||||
![]() | 93C76BT-I/MS | - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | 93C76 | eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3MHz | 비 비 | 8kbit | eeprom | 512 x 16 | 전자기 | 2ms | ||||
![]() | NDS76PT5-16AT tr | 2.6335 | ![]() | 4158 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1982-NDS76PT5-16ATTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | AS7C1024B-12JCNTR | 2.9779 | ![]() | 7595 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | AS7C1024 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 12 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 12ns | ||||
24LC16B-I/STG | - | ![]() | 2316 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 24LC16B | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 비 비 | 16kbit | 900 ns | eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | 70v35L20pf | - | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | 70v35L | sram-이중-, 비동기 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 6 | 휘발성 휘발성 | 144kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 18 | 평행한 | 20ns | ||||
![]() | IS26KS128S-DPBLI00 | 7.0300 | ![]() | 8220 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-VBGA | IS26KS128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS26KS128S-DPBLI00 | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 338 | 166 MHz | 비 비 | 128mbit | 96 ns | 플래시 | 16m x 8 | 평행한 | - | ||
70V3379S6BF | 98.3007 | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 208-LFBGA | 70v3379 | sram-듀얼-, 동기 | 3.15V ~ 3.45V | 208-Cabga (15x15) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 7 | 휘발성 휘발성 | 576kbit | 6 ns | SRAM | 32k x 18 | 평행한 | - | |||||
![]() | S25FS128SAGMFI101 | - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FS-S | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | S25FS128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2166-S25FS128SAGMFI101-428 | 1 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi | - | 확인 | |||||
![]() | cy7c026av-25axckj | 23.9200 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-CY7C026AV-25AXCKJ-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
70V3379S5BC8 | 100.9849 | ![]() | 6988 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 256-lbga | 70v3379 | sram-듀얼-, 동기 | 3.15V ~ 3.45V | 256-Cabga (17x17) | 다운로드 | rohs 비준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 576kbit | 5 ns | SRAM | 32k x 18 | 평행한 | - | |||||
MX29F040CTI-70G | 4.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 마크로 마크로 | MX29F | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MX29F040 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 32-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 156 | 비 비 | 4mbit | 70 ns | 플래시 | 512k x 8 | 평행한 | 70ns | |||||
![]() | IDT71V2576S150PF8 | - | ![]() | 6792 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IDT71V2576 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 71V2576S150pf8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150MHz | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 3.8 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | sm671pac-adss | - | ![]() | 2984 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘, Inc. | Ferri-Ufs ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 153-TFBGA | sm671 | Flash -Nand (SLC), Flash -Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1984-SM671PAC-ADSS | 쓸모없는 | 1 | 비 비 | 160gbit | 플래시 | 20g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||
![]() | W988D6FBGX7I | - | ![]() | 9241 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W988D6 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (8x9) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W988D6FBGX7I | 1 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | LVCMOS | 15ns | |||||
![]() | IDT71V67703S85PFI | - | ![]() | 1270 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IDT71V67703 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 71V67703S85PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 87 MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 8.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | gd5f4gq4rcyigr | - | ![]() | 8974 | 0.00000000 | Gigadevice ice (hk) 제한 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | GD5F4GQ4 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 2V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120MHz | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | spi-쿼드 i/o | |||||
![]() | CG8254AAT | - | ![]() | 7850 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
cy7c1370dv25-250axc | - | ![]() | 5660 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Nobl ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | Cy7c1370 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||||
![]() | cy7c1021dv33-10bvxikb | 1.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-CY7C1021DV33-10BVXIKB-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | 7.7561 | ![]() | 1239 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61NLP12836 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | 500658-B21-C | 35.0000 | ![]() | 8941 | 0.00000000 | Prolebs | * | 소매 소매 | 활동적인 | - | rohs 준수 | 4932-500658-B21-C | 귀 99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70v25L35pfi | - | ![]() | 7030 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | 70v25L | sram-이중-, 비동기 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0041 | 90 | 휘발성 휘발성 | 128kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 16 | 평행한 | 35ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고