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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS49RL18320-125BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125BL -
RFQ
ECAD 1413 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL18320 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 12 ns 음주 32m x 18 평행한 -
R1LV0408DSA-7LR#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV0408DSA-7LR#B0 13.3100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) R1LV0408D SRAM 2.7V ~ 3.6V 32-tsop i - 적용 적용 수 할 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns SRAM 512k x 8 평행한 70ns
AS6C1616A-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616A-55BINTR -
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ECAD 8583 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA AS6C1616 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-FPBGA (10x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
MEM-4300-4G-C ProLabs MEM-4300-4G-C 112.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-MEM-4300-4G-C 귀 99 8473.30.9100 1
IS43R16160D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BL 5.3295
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1204 귀 99 8542.32.0024 190 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
NDD36PT6-2AAT Insignis Technology Corporation NDD36PT6-2AAT 3.7895
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ECAD 8136 0.00000000 Insignis Technology Corporation ndd 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II - 1982-NDD36PT6-2AAT 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 sstl_2 15ns
STK11C88-NF45TR Infineon Technologies stk11c88-nf45tr -
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ECAD 2467 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) STK11C88 nvsram (r 휘발성 sram) 4.5V ~ 5.5V 28 -Soic 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 비 비 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 평행한 45ns
S29GL064N11TFIV60 Nexperia USA Inc. S29GL064N11TFIV60 -
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ECAD 1989 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 - 2156-S29GL064N11TFIV60 1
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR 5.9830
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ECAD 4646 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV12816 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 12 ns SRAM 128k x 16 평행한 12ns
S29GL256S10FHB020 Infineon Technologies S29GL256S10FHB020 8.5225
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ECAD 4361 0.00000000 인피온 인피온 GL-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 60ns
CY62147CV18LL-70BAI Cypress Semiconductor Corp Cy62147cv18ll-70bai 2.1200
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ECAD 13 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL2 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA Cy62147 sram- 비동기 1.65V ~ 1.95V 48-FBGA (7x8.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns SRAM 256k x 16 평행한 70ns
W972GG8KB25I Winbond Electronics W972GG8KB25I -
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ECAD 7323 0.00000000 윈 윈 전자 본드 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA W972GG8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-WBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 189 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
MX25L6455EXCI-10G Macronix MX25L6455EXCI-10G 1.6445
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ECAD 2612 0.00000000 마크로 마크로 MXSMIO ™ 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MX25L6455 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-CSPBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 300µs, 5ms
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AIT : a -
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ECAD 5518 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M64D4SQ-046AIT : a 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
S25FL116K0XMFI011 Spansion S25FL116K0XMFI011 0.3600
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ECAD 7868 0.00000000 스팬션 FL1-K 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) S25FL116 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 1 108 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
MT25QL256ABA1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0SIT 5.9500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
A5323356-C ProLabs A5323356-C 47.5000
RFQ
ECAD 9447 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-A5323356-C 귀 99 8473.30.5100 1
C-1333D3N9/8G-TAA ProLabs C-1333D3N9/8G-TAA 187.5000
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-C-1333D3N9/8G-TAA 귀 99 8473.30.5100 1
24AA64T-I/SNG Microchip Technology 24AA64T-I/SNG 0.5400
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ECAD 5801 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 24AA64 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 비 비 64kbit 900 ns eeprom 8k x 8 i²c 5ms
870840-001-C ProLabs 870840-001-C 113.5000
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-870840-001-C 귀 99 8473.30.5100 1
71V416VL10BEGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416VL10BEGI -
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ECAD 1015 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA 71V416V sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-Cabga (9x9) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
GD25LQ40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq40ekigr 0.4222
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ECAD 9794 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-uson (1.5x1.5) 다운로드 1970-GD25LQ40EKIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 4mbit 6 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 60µs, 2.4ms
6116SA20SOI IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA20SOI 2.9400
RFQ
ECAD 326 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 6116SA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16kbit 20 ns SRAM 2k x 8 평행한 20ns
MEM3800-64U256CF-C ProLabs MEM3800-64U256CF-C 58.7500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-MEM3800-64U256CF-C 귀 99 8473.30.9100 1
CY7C1011CV33-12BVI Cypress Semiconductor Corp cy7c1011cv33-12bvi 4.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA cy7c1011 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 2mbit 12 ns SRAM 128k x 16 평행한 12ns
CY7C1420KV18-300XCKG Cypress Semiconductor Corp cy7c1420kv18-300xckg 39.0000
RFQ
ECAD 718 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Cy7c1420 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
PC28F128M29EWHF Micron Technology Inc. PC28F128M29EWHF -
RFQ
ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 128mbit 60 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
70V07L25J8 Renesas Electronics America Inc 70V07L25J8 -
RFQ
ECAD 1619 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 68-LCC (J-Lead) 70V07L sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 68-PLCC (24.21x24.21) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 250 휘발성 휘발성 256kbit 25 ns SRAM 32k x 8 평행한 25ns
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT : B TR 37.9050
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E1G32D2FW-046AUT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 3.5 ns 음주 1g x 32 평행한 18ns
SNP29GM8C/64G-C ProLabs SNP29GM8C/64G-C 837.5000
RFQ
ECAD 5714 0.00000000 Prolebs * 소매 소매 활동적인 - rohs 준수 4932-SNP29GM8C/64G-C 귀 99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고