전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LE25S161FDS02TWG | - | ![]() | 3966 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 488-LE25S161FDS02TWG | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | STK15C88-NF45I | - | ![]() | 2812 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | STK15C88 | nvsram (r 휘발성 sram) | 4.5V ~ 5.5V | 28 -Soic | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 54 | 비 비 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 평행한 | 45ns | |||
![]() | M24C08 -WBN6P | - | ![]() | 1438 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | M24C08 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 비 비 | 8kbit | 900 ns | eeprom | 1K X 8 | i²c | 5ms | ||
AS4C128M16D3LB-12BCNTR | - | ![]() | 8528 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-VFBGA | AS4C128 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | FT24C512A-USG-T | 0.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FT24C512 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1MHz | 비 비 | 512kbit | 900 ns | eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | MT28F800B3WP-9 T TR | - | ![]() | 2896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28F800B3 | 플래시 - 아니오 | 3V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8mbit | 90 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 90ns | |||
![]() | SST39LF020-45-4C-MME-T | - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | SST39 MPF ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 34-WFBGA | SST39LF020 | 플래시 | 3V ~ 3.6V | 34-WFBGA (6x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 2mbit | 45 ns | 플래시 | 256k x 8 | 평행한 | 20µs | |||
![]() | BR93G66FV-3GTE2 | 0.6400 | ![]() | 1492 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR93G66 | eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3MHz | 비 비 | 4kbit | eeprom | 256 x 16 | 전자기 | 5ms | |||
![]() | Cy7C1354DV25-200BZI | - | ![]() | 9434 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c1354 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 165-FBGA (13x15) | - | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 3.2 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | AT34C02-10PI-1.8 | - | ![]() | 5972 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | AT34C02 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 8-PDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 비 비 | 2kbit | 900 ns | eeprom | 256 x 8 | i²c | 10ms | ||
24VL014H/p | 0.6150 | ![]() | 2282 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 24VL014 | eeprom | 1.5V ~ 3.6V | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 비 비 | 1kbit | 900 ns | eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | W972GG6KB-18 | 10.0484 | ![]() | 5609 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | W972GG6 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 144 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 350 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS63WV1288DBLL-10HLI-TR | 1.6544 | ![]() | 9929 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) | IS63WV1288 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 32-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 10 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | W25N01GVSFIT | 2.7741 | ![]() | 9842 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | Spiflash® | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | W25N01 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 256-W25N01GVSFIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | spi-쿼드 i/o | 700µs | ||
![]() | AT28HC64B-90SU-T | 7.9800 | ![]() | 4982 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | AT28HC64 | eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 비 비 | 64kbit | 90 ns | eeprom | 8k x 8 | 평행한 | 10ms | |||
![]() | 93AA86C/W15K | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | 93AA86 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 3MHz | 비 비 | 16kbit | eeprom | 2k x 8, 1k x 16 | 전자기 | 5ms | |||
![]() | 70V07S55J | - | ![]() | 5480 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 68-LCC (J-Lead) | 70v07s | sram-이중-, 비동기 | 3V ~ 3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 18 | 휘발성 휘발성 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32k x 8 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | Cy7C1007D-10VXI | - | ![]() | 4973 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) | CY7C1007 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 54 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 1 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | CG8204AA | - | ![]() | 4432 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | N25Q128A13TSF40G | - | ![]() | 6519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | W988D6FBGX6E | - | ![]() | 1269 | 0.00000000 | 윈 윈 전자 본드 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-TFBGA | W988D6 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 312 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT58L64L32DT-7.5TR | 5.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 4 ns | SRAM | 64k x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | IS62WV5128EBLL-45BLI-TR | 2.6189 | ![]() | 3451 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 45ns | |||
![]() | Cy62147dv30ll-55bvit | 2.1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Mobl® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | Cy62147 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 200 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 55 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | IS61NLF25636A-7.5TQI | - | ![]() | 2392 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61NLF25636 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 7.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | ||
MT53E128M32D2FW-046 AUT : A TR | 8.7450 | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT : ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 3.5 ns | 음주 | 128m x 32 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | Cy7C1460SV25-250BZCKB | 50.1700 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받습니다 | 2156-CY7C1460SV25-250BZCKB-428 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS46LD32128C-25BPLA2 | - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS46LD32128C-25BPLA2 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 5.5 ns | 음주 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | C-2400D4DR8EN/8g | 105.0000 | ![]() | 2176 | 0.00000000 | Prolebs | * | 소매 소매 | 활동적인 | - | rohs 준수 | 4932-C-2400D4DR8EN/8g | 귀 99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGNFM000 | 7.9000 | ![]() | 8646 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q100, FL-S | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | S25FL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | spi-쿼드 i/o | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고