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 | MX25U1635EM1I-10G | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | 마크로 마크로 | MX25XXX35/36 -MXSMIO ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MX25U1635 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 30µs, 3ms | |||
 | MX25LW51245GXDI00 | 7.4700 | | 7426 | 0.00000000 | 마크로 마크로 | Octabus ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA, CSPBGA | 플래시 - 아니오 (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-CSPBGA (6x8) | - | 3 (168 시간) | 1092-MX25LW51245GXDI00 | 480 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 5.2 ns | 플래시 | 64m x 8, 512m x 1 | SPI -OCTAL I/O, DTR | 750µs | ||||||
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 | CAT24C32YGI | - | | 1885 | 0.00000000 | 촉매 촉매 Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | CAT24C32 | eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-tssop | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 1 | 1MHz | 비 비 | 32kbit | 400 ns | eeprom | 4K X 8 | i²c | 5ms | ||
| 70V05L25J | - | | 7209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 68-LCC (J-Lead) | 70V05L | sram-이중-, 비동기 | 3V ~ 3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 18 | 휘발성 휘발성 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 평행한 | 25ns | |||
 | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | | 3933 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS45S32200 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | - | ||
| MT53B4DAPV-DC TR | - | | 8620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | MT53B4 | sdram- 모바일 lpddr4 | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 음주 |
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