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메모리 (70500)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
Cy7C2642KV18-333BZXC	382.6900	RFQ	3827	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c2642	SRAM-동기, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	210	333 MHz	휘발성 휘발성	144mbit		SRAM	8m x 18	평행한	-
25LC080D-E/SN16KVAO	-	RFQ	2947	마이크로 마이크로 기술	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	25LC080	eeprom	2.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	100	10MHz	비 비	8kbit		eeprom	1K X 8	SPI	5ms
5962-8700221ZA	-	RFQ	3044	Renesas Electronics America Inc	-	대부분	쓸모없는								-			영향을받지 영향을받지	800-5962-8700221ZA	쓸모없는		1
MR10Q010SCR	7.0944	RFQ	5497	Everspin Technologies Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MR10Q010	MRAM (자기 램)	3V ~ 3.6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	819-mr10q010scrtr	귀 99	8542.32.0071	1,000	40MHz	비 비	1mbit	7 ns	숫양	128k x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-
71V3578S150PFG8	7.4983	RFQ	9242	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	71v3578	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	150MHz	휘발성 휘발성	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	256k x 18	평행한	-
7024S12pf8	-	RFQ	2311	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram-이중-, 비동기	4.5V ~ 5.5V	100-TQFP (14x14)	-				800-7024S12pf8tr			1		휘발성 휘발성	64kbit	12 ns	SRAM	4K X 16	평행한	12ns
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MCM6665AL20	-	RFQ	8783	모토로라	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
IS43LQ32256AL-062BLI	21.8535	RFQ	6801	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	200-TFBGA (10x14.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		706-IS43LQ32256AL-062BLI			136	1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit	3.5 ns	음주	256m x 32	lvstl	18ns
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AT49BV4096A-12TI	-	RFQ	6782	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	AT49BV4096	플래시	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	120 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	30µs
70T3519S200BCG	333.7661	RFQ	8841	Renesas Electronics America Inc	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	256-lbga	70T3519	sram-듀얼-, 동기	2.4V ~ 2.6V	256-Cabga (17x17)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	6	200MHz	휘발성 휘발성	9mbit	3.4 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-
16-4134-01-t	-	RFQ	4608	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는		1,450
MX25L12833FZ2J-10G	2.0020	RFQ	1099	마크로 마크로	MXSMIO ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드		플래시 - 아니오 (SLC)	2.7V ~ 3.6V	8-wson (8x6)	-		3 (168 시간)		1092-MX25L12833FZ2J-10G			480	104 MHz	비 비	128mbit	6 ns	플래시	32m x 4, 64m x 2, 128m x 1	spi-쿼드 i/o, qpi	60µs, 1.6ms
AT49BV4096A-90TI	-	RFQ	6147	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	AT49BV4096	플래시	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	90 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	30µs
IS43TR16128B-093NBL-TR	-	RFQ	4315	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	IS43tr16128	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-TWBGA (9x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	706-IS43TR16128B-093NBL-TR	귀 99	8542.32.0036	1,500	1.066 GHz	휘발성 휘발성	2gbit	20 ns	음주	128m x 16	평행한	15ns
MT53E256M32D2DS-053 WT : b	-	RFQ	9091	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53E256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT53E256M3DS-053WT : b	귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	-	-
868841-001-C	130.0000	RFQ	5276	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-86841-001-C	귀 99	8473.30.5100	1
4x70g78061-c	145.0000	RFQ	8456	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-4X70G78061-C	귀 99	8473.30.5100	1
CAT24C32YGI	0.2400	RFQ	5	온세미	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	CAT24C32	eeprom	1.7V ~ 5.5V	8-MSOP	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-CAT24C32 GYI-488	귀 99	8542.32.0071	1	1MHz	비 비	32kbit	400 ns	eeprom	4K X 8	i²c	5ms
70v28l20pfgi8	122.1438	RFQ	5422	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	70v28	sram-이중-, 비동기	3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2B	8542.32.0041	750		휘발성 휘발성	1mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	평행한	20ns
IS43TR16128D-125KBL-TR	3.3306	RFQ	7590	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	IS43tr16128	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-TWBGA (9x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	706-IS43TR16128D-125KBL-TR	귀 99	8542.32.0036	1,500	800MHz	휘발성 휘발성	2gbit	20 ns	음주	128m x 16	평행한	15ns
1832512095903	-	RFQ	3945	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는		1
93AA56AXT-I/SN	0.3450	RFQ	6662	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	93AA56	eeprom	1.8V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	93AA56AXT-I/SN-NDR	귀 99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	비 비	2kbit		eeprom	256 x 8	전자기	6ms
Cy7C1381B-100BZI	23.4400	RFQ	3703	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1381	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-
CY7C188-20VC	-	RFQ	2492	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)	Cy7c188	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2B	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	288kbit	20 ns	SRAM	32k x 9	평행한	20ns
NM93C86AN	-	RFQ	7919	페어차일드 페어차일드	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	NM93C86	eeprom	4.5V ~ 5.5V	8-DIP	다운로드	적용 적용 수 할				귀 99	8542.32.0051	316	1MHz	비 비	16kbit		eeprom	2k x 8, 1k x 16	전자기	10ms
A3721504-C	193.7500	RFQ	8354	Prolebs	*	소매 소매	활동적인								-	rohs 준수			4932-A3721504-C	귀 99	8473.30.5100	1
IS42VM32160D-75BLI-TR	-	RFQ	3245	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-TFBGA	IS42VM32160	sdram- 모바일	1.7V ~ 1.95V	90-TFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	2,500	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	6 ns	음주	16m x 32	평행한	-
IS43TR81024BL-107MBLI	22.8583	RFQ	4644	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA		sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-TWBGA (10x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		706-IS43TR81024BL-107MBLI			136	933 MHz	휘발성 휘발성	8gbit	20 ns	음주	1g x 8	평행한	15ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²