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메모리 (54)

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K6R1008V1C-JC12000 Samsung Semiconductor, Inc. K6R1008V1C-JC12000 1.5000
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 3.3v 32-SOJ - 3277-K6R1008V1C-JC12000 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 평행한 12ns 확인되지 확인되지
K6T4008C1C-GL55T Samsung Semiconductor, Inc. K6T4008C1C-GL55T 4.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 5V 32-SOP - 3277-K6T4008C1C-GL55TTR 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 512k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
K6X0808C1D-GF55T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-GF55T00 3.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP - 3277-K6X0808C1D-GF55T00tr 귀 99 8542.32.0041 250 휘발성 휘발성 256kbit SRAM 32k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
K6R1008C1D-TC10 Samsung Semiconductor, Inc. K6R1008C1D-TC10 1.6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 5V 32-TSSOP II - 3277-K6R1008C1D-TC10 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 평행한 10ns 확인되지 확인되지
K6X0808C1D-GF70T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-GF70T00 3.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP - 3277-k6x0808c1d-gf70t00tr 귀 99 8542.32.0041 250 휘발성 휘발성 256kbit SRAM 32k x 8 평행한 70ns 확인되지 확인되지
K6R4004C1D-JC10T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6R4004C1D-JC10T00 3.5000
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 5V - 3277-K6R4004C1D-JC10T00tr 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 1m x 4 평행한 10ns 확인되지 확인되지
K6F4008U2D-FF70 Samsung Semiconductor, Inc. K6F4008U2D-FF70 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA - 3277-K6F4008U2D-FF70TR 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 512k x 8 평행한 70ns 확인되지 확인되지
KM68V1002CJ-15 Samsung Semiconductor, Inc. KM68V1002CJ-15 2.5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 3.3v 32-SOJ - 3277-KM68V1002CJ-15 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 평행한 15ns 확인되지 확인되지
K6F1616U6A-EF55T Samsung Semiconductor, Inc. K6F1616U6A-EF55T 6.5000
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (7.5x9.5) - 3277-K6F1616U6A-EF55TTR 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 16mbit SRAM 1m x 16 평행한 55ns 확인되지 확인되지
K6X0808C1D-BF55 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-BF55 6.0000
RFQ
 ECAD 806 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP - 3277-K6X0808C1D-BF55 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit SRAM 32k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
K6F4016U4E-EF70T Samsung Semiconductor, Inc. K6F4016U4E-EF70T 2.0000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 2.7V ~ 3.3V 48-TFBGA (6x7) - 3277-K6F4016U4E-EF70TTR 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 256k x 16 평행한 70ns 확인되지 확인되지
K6E0808C1E-JC12T Samsung Semiconductor, Inc. K6E0808C1E-JC12T 1.1000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 5V 28-SOJ - 3277-k6e0808c1e-jc12ttr 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 256kbit SRAM 32k x 8 평행한 12ns 확인되지 확인되지
K4B1G1646I-BYMA000 Samsung Semiconductor, Inc. K4B1G1646I-BYMA000 4.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 삼성 삼성, Inc. * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 3277-K4B1G1646I-BYMA000 224
MCM6729DWJ-10R Samsung Semiconductor, Inc. MCM6729DWJ-10R 15.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 5V 32-SOJ - 3277-MCM6729DWJ-10RTR 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 256k x 4 평행한 10ns 확인되지 확인되지
K9F8008WOM-TCB Samsung Semiconductor, Inc. K9F8008wom-TCB 0.7500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 5.5V 48-tsop - 3277-k9f8008wom-tcb 귀 99 8542.32.0071 480 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 평행한 확인되지 확인되지
K6R1016C1D-TI10T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6R1016C1D-TI10T00 6.5000
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 5V 44-TSOP II - 3277-k6r1016c1d-ti10t00tr 귀 99 8542.32.0041 50 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 64k x 16 평행한 10ns 확인되지 확인되지
K6T1008V2E-TF70 Samsung Semiconductor, Inc. K6T1008V2E-TF70 2.0000
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 3.3v 32-tsop - 3277-K6T1008V2E-TF70 귀 99 8542.32.0041 720 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 평행한 70ns 확인되지 확인되지
K6X4008C1F-MF55T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6X4008C1F-MF55T00 4.8000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tssop ts - 3277-K6X4008C1F-MF55T00tr 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 512k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc. K4A4G085WE-BCRC 4.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 삼성 삼성, Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 3277-K4A4G085WE-BCRCTR 250
K6X0808C1D-GF70000 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-GF70000 3.7500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOP - 3277-K6X0808C1D-GF70000 귀 99 8542.32.0041 250 휘발성 휘발성 256kbit SRAM 32k x 8 평행한 70ns 확인되지 확인되지
K4S510432D-UC75 Samsung Semiconductor, Inc. K4S510432D-UC75 12.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) K4S510432D sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3277-K4S510432D-UC75 귀 99 8542.32.0028 960 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 65 ns 음주 128m x 4 lvttl -
K6X1008C2D-TF55 Samsung Semiconductor, Inc. K6X1008C2D-TF55 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tssop ts - 3277-K6X1008C2D-TF55 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
K6F2016U4E-EF70T Samsung Semiconductor, Inc. K6F2016U4E-EF70T 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x7) - 3277-K6F2016U4E-EF70TTR 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 128k x 16 평행한 70ns 확인되지 확인되지
K6F2016U4D-FF70T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6F2016U4D-FF70T00 1.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (6x7) - 3277-k6f2016u4d-ff70t00tr 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 128k x 16 평행한 70ns 확인되지 확인되지
MT58L64L32FT-10 Samsung Semiconductor, Inc. MT58L64L32FT-10 4.5000
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 동기 3.3v 100-tqfp - 3277-MT58L64L32FT-10 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 64k x 32 평행한 10ns 확인되지 확인되지
K6X4008C1F-MF55000 Samsung Semiconductor, Inc. K6X4008C1F-MF55000 5.0000
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tssop ts - 3277-K6X4008C1F-MF55000 귀 99 8542.32.0041 200 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 512k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
K6R1008V1C-JC12T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6R1008V1C-JC12T00 1.4000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 3.3v 32-SOJ - 3277-K6R1008V1C-JC12T00tr 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 평행한 12ns 확인되지 확인되지
K6T1008V2E-TF70T Samsung Semiconductor, Inc. K6T1008V2E-TF70T 1.8000
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 3.3v 32-tsop - 3277-K6T1008V2E-TF70TTR 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 평행한 70ns 확인되지 확인되지
K4F8E304HB-MGCJ Samsung Semiconductor, Inc. K4F8E304HB-MGCJ 6.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 3277-K4F8E304HB-MGCJ 128
K6T4008C1C-GL55T00 Samsung Semiconductor, Inc. K6T4008C1C-GL55T00 4.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 삼성 삼성, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 sram- 비동기 5V 32-SOP - 3277-K6T4008C1C-GL55T00tr 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 512k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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