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GS81302DT37GE-450I GSI Technology Inc. GS81302DT37GE-450I 243.5230
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302DT37 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302DT37GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS81302D36GE-350I GSI Technology Inc. GS81302D36GE-350I 220.9200
RFQ
 ECAD 5988 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302D36 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302D36GE-350I 3A991B2B 8542.32.0041 10 350MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS832236AGB-333I GSI Technology Inc. GS832236AGB-333I 67.4000
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS832236 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS832236AGB-333I 3A991B2B 8542.32.0041 14 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS8662Q36BGD-357I GSI Technology Inc. GS8662Q36BGD-357I 194.5700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662Q sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662Q36BGD-357I 3A991B2B 8542.32.0041 15 357 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8342T36BGD-300I GSI Technology Inc. GS8342T36BGD-300I 45.6607
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8342T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8342T36BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 15 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
GS880Z36CGT-250IV GSI Technology Inc. GS880Z36CGT-250IV 29.6905
RFQ
 ECAD 8147 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS880Z sram-동기, zbt 1.7V ~ 2V, 2.3V ~ 2.7V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS880Z36CGT-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 66 250MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS82582QT19GE-400I GSI Technology Inc. GS82582QT19GE-400I 465.0000
RFQ
 ECAD 8630 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582QT19 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582QT19GE-400I 3A991B2B 8542.32.0041 10 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS88036CGT-300I GSI Technology Inc. GS88036CGT-300I 25.2292
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS88036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS88036CGT-300I 3A991B2B 8542.32.0041 36 300MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS82582D20GE-550I GSI Technology Inc. GS82582D20GE-550I 492.0000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582D20 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582D20GE-550I 3A991B2B 8542.32.0041 10 550MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS81282Z36GD-250I GSI Technology Inc. GS81282Z36GD-250I 212.4680
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81282Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z36GD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS8673ET36BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673ET36BGK-675I 328.1075
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS8673ET sram-쿼드-, 동기 1.3V ~ 1.4V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS86736BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS82582D38GE-550I GSI Technology Inc. GS82582D38GE-550I 492.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582D38 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582D38GE-550I 3A991B2B 8542.32.0041 10 550MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS82582Q18GE-333I GSI Technology Inc. GS82582Q18GE-333I 423.0000
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582Q18 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582Q18GE-333I 3A991B2B 8542.32.0041 10 333 MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS8673ED18BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673ED18BGK-675I 328.1075
RFQ
 ECAD 5543 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA gs8673ed sram-쿼드-, 동기 1.3V ~ 1.4V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8673ED18BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS8160Z36DGT-250I GSI Technology Inc. GS8160Z36DGT-250I 23.9300
RFQ
 ECAD 542 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8160Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8160Z36DGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS81314LQ37GK-933I GSI Technology Inc. GS81314LQ37GK-933I 622.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81314LQ37 sram-쿼드--, 동기, qdr ive 1.25V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81314LQ37GK-933I 3A991B2B 8542.32.0041 10 933 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS864236GB-300I GSI Technology Inc. GS864236GB-300I 193.7800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga GS864236 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS864236GB-300I 3A991B2A 8542.32.0041 14 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8128036GT-333I GSI Technology Inc. GS8128036GT-333I 277.5900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 100-lqfp GS8128036 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8128036GT-333I 귀 99 8542.32.0041 15 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS882Z36CGD-333I GSI Technology Inc. GS882Z36CGD-333I 41.0300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS882Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS882Z36CGD-333I 귀 99 8542.32.0041 36 333 MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 -
GS81282Z18GB-250I GSI Technology Inc. GS81282Z18GB-250I 212.4680
RFQ
 ECAD 3871 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS81282Z18 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81282Z18GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS8662D18BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662D18BGD-400I 194.5700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662D sram-쿼드-, 동기, Qdr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662D18BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
GS81313LD18GK-714I GSI Technology Inc. GS81313LD18GK-714I 453.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LD18 sram-쿼드-, 동기, qdr iiie 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LD18GK-714I 3A991B2B 8542.32.0041 10 714 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 -
GS816236DGD-250I GSI Technology Inc. GS816236DGD-250I 22.3772
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS816236 sram-동기, 표준 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS816236DGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
GS82582TT19GE-450I GSI Technology Inc. GS82582TT19GE-450I 465.0000
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS82582TT19 sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x17) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82582TT19GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 16m x 18 평행한 -
GS8640Z36GT-250I GSI Technology Inc. GS8640Z36GT-250I 105.7100
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp GS8640Z sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-TQFP (20x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8640Z36GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS8182T18BGD-300I GSI Technology Inc. GS8182T18BGD-300I 27.9022
RFQ
 ECAD 4609 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga GS8182T18 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8182T18BGD-300I 3A991B2B 8542.32.0041 18 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
GS81313LQ36GK-800I GSI Technology Inc. GS81313LQ36GK-800I 511.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 260-BGA GS81313LQ36 sram-쿼드-, 동기, qdr iiie 1.2V ~ 1.35V 260-BGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81313LQ36GK-800I 3A991B2B 8542.32.0041 10 800MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
GS82564Z36GB-250I GSI Technology Inc. GS82564Z36GB-250I 448.5000
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 119-bga GS82564Z36 sram-동기, zbt 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 119-FPBGA (22x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS82564Z36GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250MHz 휘발성 휘발성 288mbit SRAM 8m x 36 평행한 -
GS8662T36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662T36BGD-400I 194.5700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS8662T sram-쿼드-, 동기, ddr II 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS8662T36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
GS81302D37AGD-450I GSI Technology Inc. GS81302D37AGD-450I 279.5000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 GSI Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 표면 표면 165-lbga GS81302D37 sram-쿼드-, 동기, qdr II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (13x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2364-GS81302D37AGD-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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