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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC4GLGDM-AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait a tr -
RFQ
 ECAD 6962 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mtfc4glgdm-aitatr 쓸모없는 8542.32.0071 2,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-IT : D TR 5.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29F8G08ABACAH4-S:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4-S : C. -
RFQ
 ECAD 2471 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT : C. -
RFQ
 ECAD 9972 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 208 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 14.4ns
M25P80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
JR28F032M29EWBB TR Micron Technology Inc. jr28f032m29ewbb tr -
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JR28F032M29 플래시 - 아니오 확인되지 확인되지 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MTFC32GJDED-3M WT Micron Technology Inc. MTFC32GJDED-3M WT -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 980 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37 : B TR -
RFQ
 ECAD 7061 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQCBBG2-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29F3T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
RC28F320C3TD70A Micron Technology Inc. RC28F320C3TD70A -
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F320 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AAT : b 32.5650
RFQ
 ECAD 2651 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031AAT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT29F2T08ELLCEG7-R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLCEG7-R : C. 60.5400
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2T08ELLCEG7-R : C. 1
N25Q032A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13EF640F TR -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfn (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT48H16M32L2B5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-10 IT TR -
RFQ
 ECAD 2720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 512mbit 7.5 ns 음주 16m x 32 평행한 -
MT46V128M4BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-6 : F TR -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT41J256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-125 : E TR -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
RC28F256J3F95A Micron Technology Inc. RC28F256J3F95A -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 864 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
MT46V64M8TG-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T L : F. -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT44K32M18RB-125E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125E IT : A TR -
RFQ
 ECAD 1956 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AAT : e 29.2650
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E768M32D4DT-046AAT : e 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AIT : G TR -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT40A512M8RH-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AAT : b -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
M29F200BT70M6E Micron Technology Inc. M29F200BT70M6E -
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 16 비 비 2mbit 70 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 70ns
M29F200BT70N6E Micron Technology Inc. M29F200BT70N6E -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 2mbit 70 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 70ns
MT29F4T08EULEEM4-M:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EUEEM4-M : e 85.7850
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 확인되지 확인되지 - 557-MT29F4T08Euleem4-M : e 1
N25Q032A13EF840E Micron Technology Inc. N25Q032A13EF840E -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
N25Q064A13EF8H0E Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8H0E -
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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