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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC32GAKAECN-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC32GAKAECN-5M AIT -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND - 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT53D768M32D4BD-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53D768M32D4BD-053 WT : c -
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
EDW4032BABG-60-F-R TR Micron Technology Inc. EDW4032BABG-60-FR TR -
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA EDW4032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 4gbit 숫양 128m x 32 평행한 -
EDFA164A2PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PK-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2167 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT44K32M18RB-093F:B TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093F : B TR -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 7.5 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT41K128M8DA-107 AIT:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 AIT : J. -
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K128M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,140 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 -
MT44K16M36RB-107E:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E : b 46.0350
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT44K16M36RB-093E IT:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E IT : b 66.1650
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
EMBA232B2PB-DV-F-D Micron Technology Inc. EMBA232B2PB-DV-FD -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,680
MT48LC8M16LFTG-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFTG-75 : g -
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
M29F400FT5AM62 Micron Technology Inc. M29F400FT5AM62 -
RFQ
 ECAD 7474 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 240 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
JS28F256J3F105A Micron Technology Inc. JS28F256J3F105A -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1B1 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 105 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 105ns
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-E : E TR -
RFQ
 ECAD 6217 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MTFC128GASAQJP-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GASAQJP-ait 51.9900
RFQ
 ECAD 4865 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC128 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,520 200MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 EMMC -
MT48H4M16LFB4-8 TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8 TR -
RFQ
 ECAD 7381 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 AIT : c -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12IT : a -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MTFC8GLDEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GLDEA-1M WT -
RFQ
 ECAD 2250 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CBM-25 : B TR -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT48H16M32L2F5-8 Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 -
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 512mbit 7.5 ns 음주 16m x 32 평행한 -
MTFC128GAOANEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAOANEA-WT TR -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC128 플래시 - NAND - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUEBBH8-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 7199 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
M29W064FB6AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W064FB6AZA6F TR -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT58L1MY18DF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L1MY18DF-7.5 18.9400
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4.2 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
MT29F32G08AECBBH1-12:B Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12 : b -
RFQ
 ECAD 7716 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT53D2G32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-062 WT : d -
RFQ
 ECAD 9049 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCDBJ5-6IT : D TR -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46V16M16P-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T L : F. -
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT58L32L36FT-10 Micron Technology Inc. MT58L32L36FT-10 6.6200
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 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 66MHz 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 32k x 36 평행한 -
MT46V32M16FN-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 IT : C TR -
RFQ
 ECAD 8786 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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