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메모리 (10402)

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MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. mt29f4g08abbdah4-itx : d -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
M25P16-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P16-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECGBJ4-37R : G TR -
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT29F128G08CECGBJ4-37R : GTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 EMFA232 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,680
MT53E2G64D8EG-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT53E2G64D8EG-046WT : CTR 2,000
N25Q256A83ESF40E Micron Technology Inc. N25Q256A83ESF40E -
RFQ
 ECAD 9815 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A83 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,440 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT28F400B3SG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 TET -
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 ECAD 7473 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT62F3G32D8DV-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 IT : B TR 74.6400
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 ECAD 2363 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023IT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 3G X 32 평행한 -
MT28F800B5WG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 TET TR -
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 ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT28EW01GABA1LJS-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1ljs-0sit -
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 1gbit 95 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT40A1G16KH-062E AAT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AAT : E TR 17.1750
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 ECAD 2371 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x13) 다운로드 557-MT40A1G16KH-062EAAT : ETR 3,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 현물 현물 지불 15ns
MT47H32M16CC-37E IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-37E IT : B TR -
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 ECAD 9525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (12x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 500 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F64G08AECABH1-10:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10 : a -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
N25Q256A11E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q256A11E1240F TR -
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q256A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F2G16ABBFAH4:F Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBFAH4 : f -
RFQ
 ECAD 9796 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AIT : B TR -
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3R : a -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT35XL256ABA2GSF-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2GSF-0AAT -
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 ECAD 1659 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,440 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
MTFC16GLUAM-WT Micron Technology Inc. MTFC16GLUAM-WT -
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 ECAD 2935 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F4G08ABCHC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCHC-ET : C TR -
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT49H64M9BM-25:B Micron Technology Inc. MT49H64M9BM-25 : b -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H64M9 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 64m x 9 평행한 -
MT58L128L32P1T-7.5CTR Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-7.5ctr 4.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 4 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PU-107 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 1066 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 MT52L512 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT44K32M18RB-107E:B TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E : B TR 46.0350
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 ECAD 4068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MTFC128GAOAMEA-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GAOAMEA-WT ES TR -
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 ECAD 7523 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC128 플래시 - NAND - - - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 Micron Technology Inc. MT38W1011A90YZQXZI.XB8 -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,518
M25PE16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25PE16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 3ms
M29F040B45K6E Micron Technology Inc. M29F040B45K6E -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 32 비 비 4mbit 45 ns 플래시 512k x 8 평행한 45ns
EDBA232B2PD-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA232B2PD-1D-FR TR -
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 ECAD 1397 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDBA232 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
M58BW16FB5ZA3F Micron Technology Inc. M58BW16FB5ZA3F -
RFQ
 ECAD 9452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80-lbga M58BW16 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.3V 80-lbga (10x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 16mbit 55 ns 플래시 512k x 32 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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