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MT53D4G16D8AL-062 WT:E Micron Technology Inc. MT53D4G16D8AL-062 WT : e -
RFQ
ECAD 1672 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D4G16 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53D4G16D8AL-062WT : e 쓸모없는 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 4G X 16 - -
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR Micron Technology Inc. MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR 165.0000
RFQ
ECAD 6125 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT28HL64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT28HL64GRBB6EBL-0GCTTR 0000.00.0000 1,000
MT49H32M9FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-25 : B TR -
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M9 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 32m x 9 평행한 -
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10ITZ : a 87.1200
RFQ
ECAD 857 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-062 WT ES : d -
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
PC28F512M29AWLB TR Micron Technology Inc. PC28F512M29AWLB TR -
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT29F4T08EQLEEG8-QD:E TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EQLEEG8-QD : E TR 105.9600
RFQ
ECAD 4206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD : ETR 2,000
M29W800FB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W800FB7AN6F TR -
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT41K256M8HX-15E:D Micron Technology Inc. MT41K256M8HX-15E : d -
RFQ
ECAD 8835 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 256m x 8 평행한 -
PC28F00AG18FF TR Micron Technology Inc. PC28F00AG18FF TR -
RFQ
ECAD 1552 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F00A 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 1gbit 96 ns 플래시 64m x 16 평행한 96ns
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1536M32D8QD-053 WT ES : D TR -
RFQ
ECAD 9269 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B1536 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 6gbit 음주 1.5GX 32 - -
MT53D4DANY-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DANY-DC TR -
RFQ
ECAD 7245 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - MT53D4 sdram- 모바일 lpddr4 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
MT29F4T08ELLCHL4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08ELLCHL4-QA : C TR 83.9100
RFQ
ECAD 7094 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F4T08ELLCHL4-QA : CTR 2,000
MT40A512M8SA-062E AAT:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AAT : f 15.5100
RFQ
ECAD 8010 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A512M8SA-062EAAT : f 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AIT : D TR 35.5500
RFQ
ECAD 6876 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
M58LT128KST7ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KST7ZA6F TR -
RFQ
ECAD 2698 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M58LT128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52MHz 비 비 128mbit 70 ns 플래시 8m x 16 평행한 70ns
EMFA232A2PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FR TR -
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 EMFA232 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT53D384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT : e -
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
M50FW080N1 Micron Technology Inc. M50FW080N1 -
RFQ
ECAD 8949 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M50FW080 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 33MHz 비 비 8mbit 250 ns 플래시 1m x 8 평행한 -
PC28F256P30B85D TR Micron Technology Inc. PC28F256P30B85D TR -
RFQ
ECAD 2513 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT41K128M16JT-125 XIT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 XIT : K TR 7.8450
RFQ
ECAD 9584 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT25TL256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL256HBA8ESF-0SIT TR -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC8GAMALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gamalgt-ait -
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC8 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 557-mtfc8gamalgt-ait 쓸모없는 8542.32.0071 152 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29F8G08MADWC:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08MADWC : D TR -
RFQ
ECAD 5393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MTFC8GACAAAM-1M WT TR Micron Technology Inc. MTFC8GACAAAM-1M WT TR -
RFQ
ECAD 8476 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MTFC8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
JS28F256P33T95A Micron Technology Inc. JS28F256P33T95A -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 평행한 95ns
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-IT : a -
RFQ
ECAD 8567 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT46V32M16BN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6 IT : F TR -
RFQ
ECAD 6533 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V32M16P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B : J. -
RFQ
ECAD 1582 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AATX : d 7.6100
RFQ
ECAD 353 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고