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메모리 (10402)

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MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10Z : A TR -
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M25P80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 Micron Technology Inc. MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 21.4200
RFQ
 ECAD 4449 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 MT38Q50 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,360
MT53D1G64D8NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-062 WT : d -
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
NAND128W3A0BN6E Micron Technology Inc. NAND128W3A0BN6E -
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND128 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 50 ns 플래시 16m x 8 평행한 50ns
M25P64-VMF6G Micron Technology Inc. M25P64-VMF6G -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 50 50MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AIT : A TR -
RFQ
 ECAD 7645 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
MTFC16GAKAECN-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MTFC64GJDDN-4M IT Micron Technology Inc. MTFC64GJDDN-4M IT -
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8523.51.0000 980 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 MMC -
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F8G01ADAFD12-AATES : f -
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 - MT29F8G01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 8gbit 플래시 8g x 1 SPI -
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12Z : c -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MTFC32GAZAOTD-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc32gazaotd-aat tr 27.3450
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC32GAZAOTD-AATTR 2,000
M25PE16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25PE16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 3ms
MT47H32M16HR-25E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AAT : G TR -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT52L1G64D8QC-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L1G64D8QC-107 WT : b -
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-VFBGA MT52L1G64 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 253-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 933 MHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT46H32M32LFCG-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6 IT : a -
RFQ
 ECAD 4308 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 152-VFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M -
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
EDFA112A2PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-JD-FD -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 128m x 128 평행한 -
MT25TL01GHBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0AAT -
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53E4D1ADE-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1ADE-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53E4 - 영향을받지 영향을받지 557-mt53e4d1ade-dctr 2,000
MT49H8M36FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 : B TR -
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT25QL512ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABA8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46V128M4FN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-6 : F TR -
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
RC28F640P33B85A Micron Technology Inc. RC28F640P33B85A -
RFQ
 ECAD 2776 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA RC28F640 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AUT : B TR -
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT46H64M32LFCX-48 IT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-48 IT : b -
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 14.4ns
EDF8164A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-GD-FD -
RFQ
 ECAD 1522 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAayyAMD-5 IT -
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT46V32M4TG-5B:D Micron Technology Inc. MT46V32M4TG-5B : d -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 32m x 4 평행한 15ns
N25Q128A11TSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11TSF40F TR -
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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