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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT49H8M36SJ-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25E : B TR -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 8m x 36 평행한 -
JS28F00AM29EWHE Micron Technology Inc. JS28F00AM29ewhe -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AM29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 110ns
MT29F1G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4 : E TR 3.0700
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 ECAD 705 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B Micron Technology Inc. MT29F16G08ABABAWP-ait : b -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M29F040B45K6E Micron Technology Inc. M29F040B45K6E -
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 ECAD 5999 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 32 비 비 4mbit 45 ns 플래시 512k x 8 평행한 45ns
EDBA232B2PD-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA232B2PD-1D-FR TR -
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 ECAD 1397 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDBA232 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
M58BW16FB5ZA3F Micron Technology Inc. M58BW16FB5ZA3F -
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 ECAD 9452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80-lbga M58BW16 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.3V 80-lbga (10x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 16mbit 55 ns 플래시 512k x 32 평행한 55ns
MT53D512M64D4NW-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT : d -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT49H64M9BM-25:B Micron Technology Inc. MT49H64M9BM-25 : b -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H64M9 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 64m x 9 평행한 -
MT62F1536M64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 WT ES : B TR 122.7600
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8D8D8EK-023WTES : BTR 1,500 4.266 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 평행한 -
MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M16D1FE-25 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 9849 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 121-WFBGA MT42L32M16 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 121-FBGA (6.5x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한 -
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AUT : f 4.2603
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT : f 1
MT25QU02GCBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0SIT 34.7400
RFQ
 ECAD 643 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075 : E TR 6.0000
RFQ
 ECAD 9675 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
MT41K256M4JP-15E:G TR Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-15E : G TR -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.5 ns 음주 256m x 4 평행한 -
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 6901 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AIT : P TR 19.1550
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K512M16VRN-107AIT : PTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
PF38F3050M0Y3DEA Micron Technology Inc. PF38F3050M0Y3DEA -
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 ECAD 2859 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFBGA, CSPBGA 38F3050M0 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-SCSP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 128mbit 96 ns 플래시 8m x 16 평행한 96ns
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT ES : A TR -
RFQ
 ECAD 7790 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 쓸모없는 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT40A2G4SA-062E:E Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E : e 10.1850
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
MT25TL01GHBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M29W320DT70N6E Micron Technology Inc. M29W320DT70N6E -
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M29W320DT70N6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT25QL512ABB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0SIT TR 10.8000
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 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D8NW-053 WT : E TR -
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
NAND512R3A2DZA6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2DZA6E -
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-TFBGA NAND512 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand512r3a2dza6e 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
MT41J64M16JT-125E:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-125E : g -
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J64M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
MT48H8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 IT -
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBJ4-3R : b -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M29F040B70N6E Micron Technology Inc. M29F040B70N6E -
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 156 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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