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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M29W128GSH70N6E Micron Technology Inc. M29W128GSH70N6E -
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT28F800B3WG-9 BET TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 BET TR -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B Micron Technology Inc. MT53D256M16D1NY-046 XT ES : b -
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT44K32M18RB-125:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125 : a -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 12 ns 음주 32m x 18 평행한 -
EMF8132A3PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FR TR -
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 ECAD 7499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 EMF8132 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
NM4081H0HA15J68E Micron Technology Inc. NM4081H0HA15J68E -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 136
MT53D4D1ARQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ARQ-DC TR -
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 ECAD 3792 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
MT48H8M16LFB4-75:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75 : K TR -
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 ECAD 5387 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H8M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT29F128G08CKCCBH2-12:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CKCCBH2-12 : c -
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 ECAD 3529 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT44K16M36RB-093 IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093 IT : A TR -
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 ECAD 2468 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES : e -
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 ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT49H8M36FM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 IT : b -
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT25QL256ABA1EW9-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0AAT -
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 ECAD 8904 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x8) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46V64M8TG-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75 L : D TR -
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT40A8G4VNE-062H:B Micron Technology Inc. MT40A8G4VNE-062H : b 80.8350
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 ECAD 2955 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT40A8G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A8G4VNE-062H : b 8542.32.0071 152 1.6GHz 비 비 32gbit 13.75 ns 음주 8g x 4 평행한 -
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES : a -
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 ECAD 9425 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M -
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F1G16ABBEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4 : e -
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
EDW4032BABG-80-F-D Micron Technology Inc. EDW4032BABG-80-FD -
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA EDW4032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,440 2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 숫양 128m x 32 평행한 -
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 Micron Technology Inc. MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 -
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 ECAD 6350 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AIT : K TR 7.2100
RFQ
 ECAD 517 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ : C TR -
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 ECAD 7394 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
M25P05-AVMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMN6TP TR -
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 ECAD 1710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
PC28F256M29EWHB TR Micron Technology Inc. PC28F256M29EWHB TR -
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 ECAD 9339 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 256mbit 100 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 100ns
MT62F2G64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT ES : B TR 90.4650
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 ECAD 9393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WTES : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
N25Q064A11ESE40G Micron Technology Inc. N25Q064A11ESE40G -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC64GAXAUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gaxauea-wt tr 7.2600
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 ECAD 3248 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - 플래시 -Nand (SLC) - - - 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR 2,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 UFS2.2 -
MTFC4GLGDQ-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait z -
RFQ
 ECAD 9244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc4glgdq-aitz 쓸모없는 980 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT53E256M32D2FW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AIT : B TR 14.0850
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E256M32D2FW-046AIT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 평행한 18ns
MT28F008B5VG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F008B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8 평행한 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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