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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
PC28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. PC28F256J3D95B TR -
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 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
M25P16-VMF3TPB TR Micron Technology Inc. M25P16-VMF3TPB TR -
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 ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V16M8P-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8P-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 750 ps 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8 XT : G TR -
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 ECAD 2152 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10 : A TR -
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 ECAD 3812 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M29W128GSL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128GSL70ZA6E -
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 ECAD 6975 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 816 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
M25P40-VMN6YPB Micron Technology Inc. M25P40-VMN6YPB -
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 ECAD 2169 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 280 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A AIT : L. -
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 ECAD 3640 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
MT46V64M8P-5B L IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B L IT : J. -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37B : E TR -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
M25PX32-VMW6E Micron Technology Inc. M25PX32-VMW6E -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT47H16M16BG-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-3 : B TR -
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-FBGA MT47H16M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT28F640J3RP-115 MET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3RP-115 MET TR -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MTEDFBR8SCA-1P2IT Micron Technology Inc. MTEDFBR8SCA-1P2IT -
RFQ
 ECAD 1195 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 활동적인 MTEDFBR8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 150
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB4432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCBBH2-10 : B TR -
RFQ
 ECAD 8275 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT60B1G16HC-52B IT:G Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-52B IT : g 18.2400
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 ECAD 7376 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT60B1G16HC-52 비트 : g 1
MT42L128M64D4LC-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LC-3 IT : a -
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-VFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOP-053 W.9G8 -
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 MT29VZZZBD8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,520
MT28F800B3WP-9 B Micron Technology Inc. MT28F800B3WP-9 b -
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 ECAD 5908 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
MT53B2DANL-DC Micron Technology Inc. MT53B2DANL-DC -
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 - - sdram- 모바일 lpddr4 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 960 휘발성 휘발성 음주
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT : b 15.1400
RFQ
 ECAD 976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT46V64M8FN-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 L : D. -
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 ECAD 9758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V32M8TG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-5B : G TR -
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 ECAD 4544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AAT : P TR 9.6400
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 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT48H4M16LFF4-10 IT Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-10 IT -
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 7 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFKQ-5 IT : C TR -
RFQ
 ECAD 2321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL64GRBA6EBL-0GCT -
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 ECAD 8251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 MT28HL64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 270
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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