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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT41K256M16HA-125 M:E Micron Technology Inc. MT41K256MA-125 M : e -
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 ECAD 9957 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F2T08CVCCBG6-6C:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCCBG6-6C : c -
RFQ
 ECAD 3638 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29F2T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 167 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
M29W128GH70N3F TR Micron Technology Inc. M29W128GH70N3F TR -
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 ECAD 8723 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT28F800B3WG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 TET -
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 ECAD 7029 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
MT46V8M16P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16P-5B : D TR -
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 ECAD 3331 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V8M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR -
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 ECAD 5160 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-VFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-VFBGA (13x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
N25Q008A11ESC40G Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40G -
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 ECAD 5951 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 108 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 8ms, 5ms
EDB2432BCPA-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB2432BCPA-8D-FD -
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 ECAD 4547 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB2432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,260 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 -
MT48LC64M4A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-6A : g -
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 ECAD 4177 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 64m x 4 평행한 12ns
MT28F320J3FS-11 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3FS-11 GMET TR -
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 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUAAAC5-ITZ : A TR -
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 ECAD 3942 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT44K64M18RB-083F:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-083F : a -
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 ECAD 2489 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.2GHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 6.67 ns 음주 64m x 18 평행한 -
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR -
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 ECAD 6451 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT28F004B5VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 TET TR -
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 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F004B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8 평행한 80ns
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCABJ2-10Z : a -
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 ECAD 7387 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-TBGA MT29E256G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT47H32M8BP-5E:B Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-5E : b -
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 ECAD 2307 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H32M8B sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 600 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT46V32M16CV-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B : J TR -
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 ECAD 1580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 AAT : A TR -
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 ECAD 4129 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA MT42L32M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
MT41K256M16TW-107 AT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AT : P. -
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 ECAD 5245 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) MT41K256M16TW-107AT : p 귀 99 8542.32.0036 1 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K -
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 ECAD 4100 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -25 ° C ~ 85 ° C - - MT29TZZZ8 -Nand, DRAM -lpddr3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 800MHz 비 비, 휘발성 64gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) 플래시, 램 68G X 8 (NAND), 256M X 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT40A1G16WBU-083E:B Micron Technology Inc. MT40A1G16WBU-083E : b -
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 ECAD 1492 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 1.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 1g x 16 평행한 -
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGCBBG1-37ES : B TR -
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 ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
PC28F00AP33EFA Micron Technology Inc. PC28F00AP33EFA -
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 ECAD 1659 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F00A 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 1gbit 95 ns 플래시 64m x 16 평행한 95ns
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-10Z : A Tr -
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 ECAD 6716 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D4NQ-053 RS WT : F TR -
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 ECAD 1179 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT : FTR 쓸모없는 2,000
MTFC16GAPALBH-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc16gapalbh-ait es -
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 ECAD 9930 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT44K32M18RB-093E IT:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E IT : a -
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 ECAD 4743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT48LC32M4A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC32M4A2P-7E : g -
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 ECAD 4856 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 32m x 4 평행한 14ns
N25Q064A11EF640E Micron Technology Inc. N25Q064A11EF640E -
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 ECAD 2468 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT55L256L32FT-12IT Micron Technology Inc. MT55L256L32ft-12it 17.3600
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 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 83MHz 휘발성 휘발성 8mbit 9 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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