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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT48V8M32LFF5-8	-	RFQ	5270	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48V8M32	sdram- 모바일 lpsdr	2.3V ~ 2.7V	90-VFBGA (8x13)	-	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	256mbit	7 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
MT29F1G08ABADAH4-ite : d	-	RFQ	2641	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
M25PX80-VMP6TGAD TR	-	RFQ	2191	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M25PX80	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-VFQFPN (6x5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	4,000	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT41K128M8DA-107 AIT : J TR	-	RFQ	5399	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K128M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	20 ns	음주	128m x 8	평행한	-
MT52L256M64D2PP-107 WT : b	-	RFQ	6177	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모 쓸모	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	253-VFBGA	MT52L256	sdram- 모바일 lpddr3	1.2V	253-VFBGA (11x11.5)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,890	933 MHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	256m x 64	-	-
MT58L256L36PF-7.5 IT	17.3600	RFQ	30	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	8mbit	4 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-
MT25QL01GBB8E12-0SIT	18.0400	RFQ	287	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QL01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
M28W320HST70ZA6E	-	RFQ	1753	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M28W320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	136		비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
MT49H32M18CSJ-25E IT : b	-	RFQ	6589	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-FBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	32m x 18	평행한	-
MT28F800B3WP-9 T	-	RFQ	9938	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28F800B3	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000		비 비	8mbit	90 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	90ns
MT45W4MW16PBA-70 IT TR	-	RFQ	5272	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	48-VFBGA	MT45W4MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		휘발성 휘발성	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	평행한	70ns
MT48H8M16LFB4-6 IT : K TR	-	RFQ	8553	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
TE28F256P30BFA	-	RFQ	3034	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	28F256P30	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	56-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0051	96	40MHz	비 비	256mbit	110 ns	플래시	16m x 16	평행한	110ns
MT40A256M16GE-083E AAT : b	-	RFQ	1175	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A256M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,020	1.2GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	256m x 16	평행한	-
MT28F128J3BS-12를 만났다	-	RFQ	4215	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-FBGA	MT28F128J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	128mbit	120 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	-
MT46V64M8P-5B L IT : f	-	RFQ	1307	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
RC28F256J3C125SL7HE	-	RFQ	1509	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	RC28F256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	860798	3A991B1A	8542.32.0071	2		비 비	256mbit	125 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	125ns
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR	-	RFQ	3471	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25QL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT53D512M16D1DS-046 AAT : D TR	10.3200	RFQ	8692	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT53D512M16D1DS-046AAT : DTR	귀 99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	512m x 16	-	-
MT48LC8M16A2P-7E IT : L TR	-	RFQ	8885	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	14ns
MT29F4T08EQLEEG8-QB : e	105.9600	RFQ	8758	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F4T08EQLEEG8-QB : e			1
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1	-	RFQ	3569	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F1G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	주사위	-					쓸모없는	0000.00.0000	1		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT46H256M32R4JV-5 IT : B TR	-	RFQ	7782	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	168-VFBGA	MT46H256M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	168-VFBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	8gbit	5 ns	음주	256m x 32	평행한	15ns
MT40A1G16WBU-075E : B TR	-	RFQ	1509	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A1G16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.33 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	1g x 16	평행한	-
MT40A256M16LY-062E IT : F TR	9.1650	RFQ	2654	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A256M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT40A256M16LY-062EIT : FTR	귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	256m x 16	평행한	-
MT45W1MW16BDGB-701 IT TR	-	RFQ	2691	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	54-VFBGA	MT45W1MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	1,000		휘발성 휘발성	16mbit	70 ns	psram	1m x 16	평행한	70ns
MTFC64GAJAEDQ-ait	-	RFQ	9216	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC64	플래시 - NAND	-	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	MMC	-
mt29f1g16abbeah4-aitx : e tr	-	RFQ	6796	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	64m x 16	평행한	-
MT46V8M16P-75 : D TR	-	RFQ	4529	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V8M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	750 ps	음주	8m x 16	평행한	15ns
PC28F064M29ewhx	-	RFQ	8220	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	PC28F064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	184		비 비	64mbit	60 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	60ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²