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메모리 (10402)

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MT29F2G16AADWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G16AADWP : D TR -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT46V32M16P-5B XIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B XIT : J TR -
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES : D. -
RFQ
 ECAD 2010 년 년 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1TK-25 AAT : A TR -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L128M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT28EW256ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew256aba1hjs-0sit -
RFQ
 ECAD 2292 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
M25PX16-VZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16-VZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA M25PX16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
NAND256R3A2BZA6E Micron Technology Inc. NAND256R3A2BZA6E -
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 55-TFBGA NAND256 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 55-VFBGA (8x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,518 비 비 256mbit 50 ns 플래시 32m x 8 평행한 50ns
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F1G01AAADDH4-ITX : d -
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3 : E TR -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H512M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0036 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 512m x 4 평행한 15ns
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 WT : E TR -
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E384M32D2DS-046WT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT41K2G4TRF-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K2G4TRF-125 : E TR -
RFQ
 ECAD 8379 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.5 ns 음주 2G X 4 평행한 -
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-6 WT : b -
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
M25P16-VMN3YPB Micron Technology Inc. M25P16-VMN3YPB -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 280 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-8 XT : G TR -
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
N25W128A11EF740E Micron Technology Inc. N25W128A11EF740E -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25W128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI -
MT54V512H36EF-5 Micron Technology Inc. MT54V512H36EF-5 19.3000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 동기 2.4V ~ 2.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.2 ns SRAM 512k x 36 HSTL -
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 IT : B TR 9.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
NAND256W3A0BN6F TR Micron Technology Inc. NAND256W3A0BN6F TR -
RFQ
 ECAD 6763 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND256 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 256mbit 50 ns 플래시 32m x 8 평행한 50ns
MT29F4G16ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC : C TR -
RFQ
 ECAD 4267 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT47H64M16NF-25E:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E : m -
RFQ
 ECAD 2493 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,368 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT48LC16M16A2P-7E L:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E L : D. -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NH-062 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 272-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 272-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AAT : L. 9.2705
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 200-VFBGA 200-VFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E256M32D1KS-046AAT : l 1
EDB8132B4PB-8D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8132B4PB-8D-FR TR -
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB8132 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MT47H128M4CF-25E:G Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E : g -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MTFC256GAOAMAM-WT Micron Technology Inc. MTFC256GAOAMAM-WT 71.0400
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC256 플래시 - NAND - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 MMC -
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MTFC32GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-AIAT TR 21.1800
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AITTR 2,000 52MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 UFS2.1 -
MT47H512M4EB-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E : C Tr -
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H512M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 512m x 4 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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