SIC
close

메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-053 WT : d -
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT49H8M36BM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-25E : b -
RFQ
 ECAD 4794 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT29F1G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc. mt29f1g08abadah4-e : d -
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT48H4M16LFF4-10 IT Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-10 IT -
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 7 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
TE28F256P33TFA Micron Technology Inc. TE28F256P33TFA -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F256P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 576 40MHz 비 비 256mbit 105 ns 플래시 16m x 16 평행한 105ns
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E3T08EUHBBM4-3 : B TR -
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E3T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES : C TR -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ATX : e -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MTFC32GJVED-IT Micron Technology Inc. MTFC32GJVED-IT -
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT45W2MW16PAFA-85 WT Micron Technology Inc. MT45W2MW16PAFA-85 WT -
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W2MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 32mbit 85 ns psram 2m x 16 평행한 85ns
JS28F128J3F75G Micron Technology Inc. JS28F128J3F75G -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT29F1T08CUCABH8-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABH8-6 : A TR -
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MTFC32GASAQHD-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC32GASAQHD-AAT TR 19.1400
RFQ
 ECAD 1955 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC32GASAQHD-AATTR 2,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC -
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-AITX : e -
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MTFC32GAPALNA-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-ait es -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC32G 플래시 - NAND - 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT29F64G08CECCBH1-12IT:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12IT : c -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT44K32M18RB-093E IT:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E IT : a -
RFQ
 ECAD 4743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MTFC32GAKAECN-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC32GAKAECN-5M AIT -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND - 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT44K16M36RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107 : a -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT25QL128ABA1EW7-0M02IT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-0M02IT -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MT25QL128ABA1EW7-0M02IT 쓸모없는 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 1.8ms
MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAH4-AAT : F TR 2.9665
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 20 ns 플래시 128m x 8 평행한 20ns
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AAT : d -
RFQ
 ECAD 2423 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
M29W256GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AN6E -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT46V32M16BN-75 IT:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75 IT : c -
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046 AIT : D TR 9.3750
RFQ
 ECAD 3734 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT : DTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 512m x 16 평행한 18ns
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT ES : b -
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT49H32M18SJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-18 : B TR -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
EDF8164A3PM-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PM-GD-FD -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT62F1G64D8EK-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 WT : b 46.6200
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031WT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 평행한 -
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E XIT : C TR 17.2000
RFQ
 ECAD 552 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다