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M29W800DB70N6E Micron Technology Inc. M29W800DB70N6E -
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 576 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT46V32M8BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-5B : GTR -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
M29W640GL70ZS6E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZS6E -
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 160 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208ECCBBJ4-37 : B TR -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
MT53D8DBWF-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DBWF-DC TR -
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 376-WFBGA MT53d8 sdram- 모바일 lpddr4 376-WFBGA (14x14) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 휘발성 휘발성 음주
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR -
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT28F008B5VG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F008B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8 평행한 80ns
MT29F4G08BABWP TR Micron Technology Inc. MT29F4G08BABWP TR -
RFQ
 ECAD 7955 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CUHBBM4-3R : b -
RFQ
 ECAD 5195 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F2T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
RD48F4400P0VBQ0A Micron Technology Inc. RD48F4400P0VBQ0A -
RFQ
 ECAD 9874 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 88-TFBGA, CSPBGA RD48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x11) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 176 52MHz 비 비 512mbit 85 ns 플래시 32m x 16 평행한 85ns
PC28F640J3D75A Micron Technology Inc. PC28F640J3D75A -
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 ECAD 6326 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 64mbit 75 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 75ns
MT40A256M16LY-062E:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E : f 8.3250
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT : b -
RFQ
 ECAD 4582 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 3.5 ns 음주 512m x 32 평행한 18ns
M25P128-VME6GB Micron Technology Inc. M25P128-VME6GB -
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 320 54 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 15ms, 5ms
M29W640GB90NA6E Micron Technology Inc. M29W640GB90NA6E -
RFQ
 ECAD 2008 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M29W640GB90NA6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 90ns
MT46V32M4TG-5B:D Micron Technology Inc. MT46V32M4TG-5B : d -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 32m x 4 평행한 15ns
M29F800DT70N6 Micron Technology Inc. M29F800DT70N6 -
RFQ
 ECAD 4038 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT44K16M36RB-125:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125 : a -
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 12 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT40A256M16LY-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E IT : F TR 9.1650
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A256M16LY-062EIT : FTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F16G08ABACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP : c -
RFQ
 ECAD 9239 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
NAND512R3A2SN6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6E -
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND512 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW02GBBA1LPC -0AAT 33.7050
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28FW02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 1,104 비 비 2gbit 105 ns 플래시 128m x 16 평행한 60ns
MT46V32M16FN-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-75 L : C TR -
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 ECAD 1890 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V64M8P-5B L IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B L IT : J. -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
M29F400BB90M1 Micron Technology Inc. M29F400BB90M1 -
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 16 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 90ns
MT40A2G8SA-062E IT:F Micron Technology Inc. MT40A2G8SA-062E IT : f 14.9550
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 ECAD 9033 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A2G8SA-062EIT : f 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 평행한 15ns
MT46V128M4P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B : J. -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
M25PE16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25PE16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 3ms
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL64GRBA6EBL-0GCT -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT28HL64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 270
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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