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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC4GMDEA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMDEA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0036 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
M25PX32SOVZM6F TR Micron Technology Inc. M25PX32SOVZM6F TR -
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3R : b -
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C2G24 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 16 (NAND), 64m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT48LC16M16A2P-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E : D TR -
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
JS28F512M29AWHB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29AWHB TR -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT25TL512BBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8ESF-0AAT 14.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 1,440 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
RC28F256J3C125SL7HE Micron Technology Inc. RC28F256J3C125SL7HE -
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 ECAD 1509 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 860798 3A991B1A 8542.32.0071 2 비 비 256mbit 125 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 125ns
M29W160ET70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 비 비 16mbit 70 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 70ns
MT41K1G4RH-125:E Micron Technology Inc. MT41K1G4RH-125 : e -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 1g x 4 평행한 -
M29W160FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W160FT70N3F TR -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 70 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 70ns
MT46V128M4P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V128M4P-6T : f -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL08GNBB3EBK-0GCT 33.0000
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT28HL08 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 270
M29F400BT90N6T TR Micron Technology Inc. M29F400BT90N6T TR -
RFQ
 ECAD 5976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 90ns
MT58L256L36PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36PT-7.5 15.6400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 4 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
MTFC128GBCAQTC-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-AAT 62.4100
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MTFC128GBCAQTC-AAT 1,520
N25Q128A13EF740E Micron Technology Inc. N25Q128A13EF740E -
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10Z : A TR -
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
N25Q064A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
M58WR032KB70ZB6W TR Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZB6W TR -
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA M58WR032 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-VFBGA (7.7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66MHz 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
EDB1332BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 7953 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB1332 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
MT47H128M4CF-25E:G Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E : g -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT52L1G64D8QC-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L1G64D8QC-107 WT : b -
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 ECAD 4613 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-VFBGA MT52L1G64 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 253-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 933 MHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEECBH6-12 : C TR -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT46H128M32L2MC-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-6 IT : a -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 240-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT61M512M32KPA-14 N:C TR Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 N : C TR 42.1050
RFQ
 ECAD 8544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT61M512M32KPA-14N : CTR 2,000
MT49H32M18BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-33 : B TR -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AIT : b 83.7750
RFQ
 ECAD 2834 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5MX 64 - -
MT29F1G08ABAFAWP-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAWP-AATES : f -
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 8542.32.0071 1 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 20ns
MT47H32M16CC-37E IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-37E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (12x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 500 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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