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메모리 (10402)

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MT47H64M16HR-3 L:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 L : H TR -
RFQ
 ECAD 9120 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR -
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MTFC4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc4glwdm-4maatztr 쓸모없는 1,000
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1HJS-0AAT -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28FW512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 56-tsop - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 60ns
M25P80-VMC6G Micron Technology Inc. M25P80-VMC6G -
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 ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 M25P80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y -
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 ECAD 2589 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT29VZZZ7 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,520
MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H16M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-IATES : f -
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 ECAD 5951 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
N25Q256A13ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A13ESF40G -
RFQ
 ECAD 1954 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-1575-5 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-18 IT : A TR -
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 ECAD 4028 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT47H128M8SH-25E AAT:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AAT : M. -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,518 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53E256M16D1FW-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 WT : b 7.7349
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E256M16D1FW-046WT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 256m x 16 평행한 18ns
M29F200BT70N6E Micron Technology Inc. M29F200BT70N6E -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 2mbit 70 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 70ns
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT : D TR -
RFQ
 ECAD 3134 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-R : E TR 10.7250
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 132-VBGA 플래시 -Nand (TLC) 2.6V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-R : ETR 2,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT48H8M32LFB5-75:H TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 : H TR -
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT25QU256ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-0AAT TR 5.4450
RFQ
 ECAD 2250 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT49H16M36FM-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-18 : B TR -
RFQ
 ECAD 6886 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT58L128L32P1T-7.5CTR Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-7.5ctr 4.7500
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 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 4 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
M29F800DB70M1 Micron Technology Inc. M29F800DB70M1 -
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 ECAD 7464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.525 ", 13.34mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 16 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT62F768M64D4ZU-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-026 WT : B TR 27.9300
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F768M64D4ZU-026WT : BTR 2,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT47H64M16HR-25E L:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E L : G TR -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT41K512M16HA-107 IT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-107 IT : a -
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 ECAD 8491 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 -
MT52L256M64D2PP-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-107 WT : b -
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 ECAD 6177 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 253-VFBGA (11x11.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT62F1G64D4EK-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AAT : B TR 63.8550
RFQ
 ECAD 6049 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AAT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 평행한 -
MTFC32GASAQHD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gasaqhd-ait tr 17.4000
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 ECAD 2096 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC32GASAQHD-AITTR 2,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC -
MT47H128M8B7-37E:A TR Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-37E : A Tr -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 92-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 92-FBGA (11x19) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT : B TR -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT ES : b -
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 ECAD 2097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT46H64M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-5 IT : a -
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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