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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT28FW512ABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LJS-0AAT -
RFQ
 ECAD 3621 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28FW512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 56-tsop - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 60ns
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR -
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZAD8 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT61M256M32KPA-14 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT61M256M32KPA-14 AAT : C TR -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 180-TFBGA MT61M256 sgram -gddr6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MT61M256M32KPA-14AAT : CTR 쓸모없는 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MTFC128GAVATTC-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAVATTC-AAT TR 61.8150
RFQ
 ECAD 6720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC128GAVATTC-AATTR 2,000
MT46V16M16BG-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16BG-6 IT : F TR -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT55L256L18F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L256L18F1T-12 4.4800
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 ECAD 89 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 83MHz 휘발성 휘발성 4mbit 9 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NH-062 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 4630 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 272-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 272-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3R : A TR 28.9650
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 ECAD 5140 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L1G64D8QC-107 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 8441 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-VFBGA MT52L1G64 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 253-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCABJ3-10Z : a -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29E512G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46V64M8CY-5B L:J Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B L : J. -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,368 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AIT : A TR -
RFQ
 ECAD 3717 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M64D4SQ-046AIT : ATR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT62F4G32D8DV-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 FAAT : b 126.4350
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023FAAT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLCEJ4-R : C TR -
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.6V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R : CTR 쓸모없는 8542.32.0071 2,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4-IT : e -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MTFC16GAPALBH-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT TR 19.2750
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT53B4DABNK-DC Micron Technology Inc. MT53B4DABNK-DC -
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 표면 표면 366-WFBGA MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 휘발성 휘발성 음주
MT42L32M16D1U67MWC1 Micron Technology Inc. MT42L32M16D1U67MWC1 -
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 ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) MT42L32M16 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한
EDFB164A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-JD-FD -
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 ECAD 7879 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) EDFB164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 933 MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT35XU256ABA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU256ABA1G12-0AAT TR -
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 ECAD 9397 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
N25Q256A81ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A81ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 5622 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A81 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC64GASAONS-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gasaons-aat tr 41.4750
RFQ
 ECAD 6526 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-AATTR 2,000 52MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 UFS2.1 -
MT42L128M64D2LL-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-25 WT : a -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
N25Q032A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT62F512M32D2DS-031 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 AUT : b 19.6650
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F512M32D2DS-031AUT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
MT54W1MH18JF-7.5 Micron Technology Inc. MT54W1MH18JF-7.5 23.6300
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 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 500 PS SRAM 1m x 18 HSTL -
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-062 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M64D8BV-062 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 2317 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT46V16M16CY-5B IT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B IT : m 7.6900
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 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,368 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
N25Q128A13ESFH0E TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFH0E TR -
RFQ
 ECAD 3144 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 n25q128a13esfh0et 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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