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메모리 (10402)

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MT29F1G01ABAFDSF-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFDSF-AAT : F TR 4.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT29F1G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
M58LR256KB70ZC5Z Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5Z -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 79-VFBGA M58LR256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 79-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M58LR256KB70ZC5Z 3A991B1A 8542.32.0071 1,740 66MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT46H128M32L2MC-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-6 IT : a -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 240-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT46V32M8P-5B L:M Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B L : M. -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
EDFP112A3PB-JDTJ-F-D Micron Technology Inc. edfp112a3pb-jdtj-fd -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT25TL256HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL256HBA8ESF-0AAT -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
N25Q128A21BSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A21BSF40F TR -
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A21 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 5ms
ECF440AACCN-V6-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-V6-Y3 -
RFQ
 ECAD 3688 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 ECF440 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1
MT41K1G8TRF-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-107 : E TR -
RFQ
 ECAD 4950 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 -
MT46V64M8P-75 IT:D Micron Technology Inc. MT46V64M8P-75 IT : d -
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
JS28F00AP33EFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33EFA -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AP33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 1gbit 105 ns 플래시 64m x 16 평행한 105ns
MT29F2G08ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC : e -
RFQ
 ECAD 1730 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F4G08AACHC:C Micron Technology Inc. MT29F4G08AACHC : c -
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
M29F040B90N1T TR Micron Technology Inc. M29F040B90N1T TR -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8 평행한 90ns
MT41K512M16VRP-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AAT : p 18.4350
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 557-MT41K512M16VRP-107AAT : p 1 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT46V8M16P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16P-5B : D TR -
RFQ
 ECAD 3331 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V8M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT45W1MW16BDGB-701 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-701 WT TR -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
MT48V4M32LFF5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFF5-8 : G TR -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT48LC16M16A2P-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 IT : d -
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBH7-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.5V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AAT : b -
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
M50FW040K5TG TR Micron Technology Inc. M50FW040K5TG TR -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M50FW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 750 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
EDFA112A2PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-JD-FD -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 128m x 128 평행한 -
MT44K16M36RB-093E IT:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E IT : b 66.1650
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29E3T08EUHBBM4-3:B Micron Technology Inc. MT29E3T08EUHBBM4-3 : b -
RFQ
 ECAD 2330 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E3T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
M25P16-VMN3YPB Micron Technology Inc. M25P16-VMN3YPB -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 280 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F128G08AMCABK3-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10 : A TR -
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR -
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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