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메모리 (10402)

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MT29F256G08CEECBH6-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEECBH6-12 : C TR -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 Micron Technology Inc. MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T208ECHBBJ4-3ES : B TR -
RFQ
 ECAD 1925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E1T208 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
EDB8164B4PR-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PR-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 1765 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT46V16M8TG-6T:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T : D TR 4.9900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT47H16M16BG-3 IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-3 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-FBGA MT47H16M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT41K256M8DA-125 AUT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AUT : k 6.7739
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AAT : b -
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT41K256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 : K TR 4.0302
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT62F2G32D8DR-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D8DR-031 WT : B TR 47.0400
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F2G32D8DR-031WT : BTR 2,000
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12IT : B TR -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT46H4M32LFB5-6:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6 : k -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H4M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28ew128ABA1HJS-0SIT TR 5.5648
RFQ
 ECAD 6756 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 128mbit 95 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT40A2G16TBB-062E:F Micron Technology Inc. MT40A2G16TBB-062E : f 52.5000
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A2G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A2G16TBB-062E : f 1,020 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 13.75 ns 음주 2G X 16 평행한 -
RC28F128J3F75G Micron Technology Inc. RC28F128J3F75G -
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 864 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3R : a -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGCBBG1-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
M25P64-VMF3PB Micron Technology Inc. M25P64-VMF3PB -
RFQ
 ECAD 3122 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT : B TR 43.5300
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWP-12 : D TR -
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-046 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
M25P80-VMW6G Micron Technology Inc. M25P80-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25P80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
EDB8164B4PT-1DAT-F-R Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DAT-FR -
RFQ
 ECAD 4819 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT58L64L18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18ft-7.5 7.6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 1mbit 7.5 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MT49H8M36BM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-25E : B TR -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT62F1G32D4DS-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 WT : b 23.3100
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031WT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES : B TR 40.9200
RFQ
 ECAD 7633 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT35XL256ABA2G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2G12-0AAT -
RFQ
 ECAD 4365 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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