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메모리 (10402)

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MT44K16M36RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E : a -
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACBWP-12 : C TR -
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
M25P20-VMP6TGB TR Micron Technology Inc. M25P20-VMP6TGB TR -
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT49H16M36SJ-18 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18 IT : b 63.7350
RFQ
 ECAD 3040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
PC28F640P30B85E Micron Technology Inc. PC28F640P30B85E -
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 ECAD 8044 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 -
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 ECAD 9191 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M36L0R7050T4ZSPE Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZSPE -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 M36L0R7050 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,560
MT29F8T08EWLKEM5-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLKEM5-ITF : K TR 257.4000
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF : KTR 2,000
MT41K256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 : E TR -
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 ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
M29F032D70N6T TR Micron Technology Inc. M29F032D70N6T TR -
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F032 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8 평행한 70ns
M29W640GL70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZF6E -
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 ECAD 6254 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 816 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT53D8DANZ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DANZ-DC TR -
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 ECAD 5271 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MT53d8 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1lpc-1sit tr -
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 ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT29F1G08ABAFAM78A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAM78A3WC1 -
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 ECAD 2643 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT55V512V36PT-10 Micron Technology Inc. MT55V512V36PT-10 17.3600
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 ECAD 285 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT55V512V sram-비동기식, zbt 2.375V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 18mbit 5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MT35XU01GBBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA1G12-0AAT -
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 ECAD 7795 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
MT29F16G08ABABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABABAWP : B TR -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT48LC8M32B2P-7 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2P-7 IT TR -
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 ECAD 1046 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 14ns
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT : D TR -
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 ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT58L1MY18DF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L1MY18DF-7.5 18.9400
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 ECAD 211 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4.2 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
M45PE20S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M45PE20S-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M45PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-ite : g 2.8500
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 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
M29W800DT70N1 Micron Technology Inc. M29W800DT70N1 -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT48LC8M16A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3RES : B TR -
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 ECAD 9922 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
MT52L256M32D1PF-093 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-093 WT : b -
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 1067 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT40A2G8NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E : R Tr 21.7650
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 ECAD 4628 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A2G8NEA-062E : RTR 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 13.75 ns 음주 2G X 8 평행한 15ns
NP8P128A13TSM60E Micron Technology Inc. NP8P128A13TSM60E -
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 ECAD 6728 0.00000000 Micron Technology Inc. OMNEO ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NP8P128A PCM (PRAM) 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B 8542.32.0051 576 비 비 128mbit 115 ns PCM (PRAM) 16m x 8 평행, SPI 115ns
MT29F256G08CJABBWP-12:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12 : b -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT44K32M18RB-107:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107 : A TR -
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 ECAD 9681 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 32m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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