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![]() | MT53D384M32D2DS-053 WT ES : c | - | ![]() | 6212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53D384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | ||||
MT41K64M16TW-107 IT : J. | - | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41K64M16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | MT41K256M4DA-107 : J. | - | ![]() | 1499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K256M4 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 4 | 평행한 | - | ||
![]() | MT48LC4M16A2P-6A IT : J TR | 4.3402 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC4M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
MT41K256M16TW-107 AIT : p | 8.1700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41K256M16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53B384M64D4NZ-053 WT : C. | - | ![]() | 1632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | ||||
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![]() | MT29F4T08EMLCHD4-T : C TR | 83.9100 | ![]() | 5910 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08CBCBBJ4-5M : b | - | ![]() | 8202 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT46H32M32LFJG-5 IT : A TR | - | ![]() | 6703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT62F3G32D8DV-026 WT ES : B TR | 122.7600 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WTES : BTR | 2,000 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 96gbit | 음주 | 3G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MTFC128GBCAVTC-AAT ES TR | 60.4800 | ![]() | 5766 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MTFC128GBCAVTC-AATEST | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29E512G08CKCCBH7-6 : c | - | ![]() | 2465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-TBGA | MT29E512G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | ||||
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![]() | EMB4432BBBJ-DV-FD | - | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | EMB4432 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 2,100 | |||||||||||||||||
![]() | NAND512R3A2CZA6E | - | ![]() | 9739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-TFBGA | NAND512 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -Nand512r3a2cza6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 비 비 | 512mbit | 50 ns | 플래시 | 64m x 8 | 평행한 | 50ns | ||
MT29F2G08ABAEAWP-E : E TR | - | ![]() | 6217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MTFC16GJVEC-2F WT TR | - | ![]() | 4388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MTFC16G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT46H64M32L2JG-5 : a | - | ![]() | 5757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | M25PX32-VMF6F TR | - | ![]() | 9457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | M25PX32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 75MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | M25PX64-VZM6TP TR | - | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | M25PX64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
MT25QL01GBB8E12E01-2SIT TR | - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25QL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||
![]() | mtfc8glwdq-3m ait a | 16.6500 | ![]() | 859 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MTFC8GLWDQ-3MAITA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT42L32M16D1AB-3 WT : A TR | - | ![]() | 7739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 121-WFBGA | MT42L32M16 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 121-FBGA (6.5x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT25QU128ABB8ESF-0AUT | 5.9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MT25QU128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 16-SOP2 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -mt25qu128abb8esf-0aut | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,440 | 133 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||
![]() | MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 | 3.5200 | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F4G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT41K256M8DA-125 AUT : K TR | 6.5550 | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K256M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 13.75 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||
MT53E1G64D4NW-046 WT : c | 47.0400 | ![]() | 3314 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 표면 표면 | 432-VFBGA | MT53E1 | 432-VFBGA (15x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E1G64D4NW-046WT : c | 1,360 | |||||||||||||||
![]() | MT42L256M32D2LK-25 WT : A TR | - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 216-WFBGA | MT42L256M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 216-FBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F64G08CBAAAWP-ITZ : A TR | - | ![]() | 7988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - |
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