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![]() | MT29F4T08EUEEM4-T : e | 85.8150 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 132-BGA | 플래시 -Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | 557-MT29F4T08EUEEM4-T : e | 1 | 비 비 | 4tbit | 플래시 | 512g x 8 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | N25Q064A13ESEH0F TR | - | ![]() | 7976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8- w | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | M25P128-VME6TG TR | - | ![]() | 1844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Forté ™ | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25P128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (mlp8) (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 50MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI | 15ms, 7ms | |||
![]() | MT44K16M36RB-107E IT : B TR | - | ![]() | 1182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 음주 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 8 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT40A256M16GE-075E : B TR | - | ![]() | 5692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT40A256M16GE-075E : BTR | 쓸모없는 | 2,000 | 1.33 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 19 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | M25P32-VMP6G | - | ![]() | 1631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25P32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-VFQFPN (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 75MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
MT53E1G32D2FW-046 WT : A TR | 22.0050 | ![]() | 7894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT : ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | 18ns | |||||||||
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![]() | MT62F1G32D2DS-023 WT ES : c | 22.8450 | ![]() | 9532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES : c | 1 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 | - | ![]() | 2353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | MT46H64M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | - | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | ||||||||||
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MT29F8G01ADAFD12-AATES : f | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | - | MT29F8G01 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 8g x 1 | SPI | - | |||||
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MT48H16M32LFB5-75 IT : c | - | ![]() | 4652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48H16M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53D4DBNY-DC | - | ![]() | 9607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | - | MT53D4 | sdram- 모바일 lpddr4 | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,360 | 휘발성 휘발성 | 음주 | |||||||||||
![]() | mtfc128gapalns-ait | - | ![]() | 4699 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC128 | 플래시 - NAND | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | mtfc8gacaens-aat | - | ![]() | 4850 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT53B384M64D4TZ-053 WT : C TR | - | ![]() | 3126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | |||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AUT : b | 145.4250 | ![]() | 3151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023Aut : b | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 4G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT46V32MMCY-5B XIT : J TR | - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | mt46v32mcy-5bxit : jtr | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MTFC4GLWDM-4M AAT Z TR | - | ![]() | 7143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MTFC4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | mtfc4glwdm-4maatztr | 쓸모없는 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | M25P80-VMC6G | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-udfn n 패드 | M25P80 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 490 | 75MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y | - | ![]() | 2589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | MT29VZZZ7 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||
![]() | MT48H16M16LFBF-75 IT : G TR | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H16M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
MT29F4G08ABAFAWP-IATES : f | - | ![]() | 5951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||||
![]() | MT42L128M64D2MC-18 IT : A TR | - | ![]() | 4028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 240-WFBGA | MT42L128M64 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 240-FBGA (14x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 128m x 64 | 평행한 | - | ||||
MT47H128M8SH-25E AAT : M. | - | ![]() | 6566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,518 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 400 PS | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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