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메모리 (10402)

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MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AUCBBH3-12IT : B TR -
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT53D4DARN-DC Micron Technology Inc. MT53D4DARN-DC -
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,008
MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F32G08CBCCBH1-12Z : c -
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 83MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT29F16G08ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-IT : c -
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
PC28F640J3F75B Micron Technology Inc. PC28F640J3F75B 4.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2832-PC28F640J3F75B-TR 귀 99 8542.32.0051 108 비 비 64mbit 75 ns 플래시 4m x 16, 8m x 8 평행한 75ns 확인되지 확인되지
MT47H32M16NF-25E AUT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT : h -
RFQ
 ECAD 4469 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,368 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46H16M32LFCM-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-5 IT : b -
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT46V16M16P-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T L : F. -
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D4NQ-053 RS WT : F TR -
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT : FTR 쓸모없는 2,000
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AUT : C TR -
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-ites : f -
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT53B256M16D1Z00MWC1S Micron Technology Inc. MT53B256M16D1Z00MWC1S 10.4800
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S 1
MT46V16M8TG-6T IT:D TR Micron Technology Inc. MT46V16M8TG-6T IT : D TR 8.7400
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AIT : E TR -
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M32D4DT-046AIT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AUT : L. 14.5800
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 200-VFBGA 200-VFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E256M32D1KS-046AUT : l 1
MT48LC8M16A2B4-6A:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A : L TR -
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
MT49H16M18FM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25 IT : b -
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT52L4DAGN-DC Micron Technology Inc. MT52L4DAGN-DC -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Micron Technology Inc. * 상자 활동적인 MT52L4 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 XT : g -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT49H16M16FM-5 TR Micron Technology Inc. MT49H16M16FM-5 TR -
RFQ
 ECAD 6053 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M16 음주 1.7V ~ 1.95V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 음주 16m x 16 평행한 -
MT41J256M8JE-15E:A Micron Technology Inc. MT41J256M8JE-15E : a -
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 82-FBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 82-FBGA (12.5x15.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.5 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT : F TR 3.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn MT29F1G01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 8-updfn (8x6) (mlp8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
JR28F064M29EWLA Micron Technology Inc. jr28f064m29ewla -
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JR28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
NAND32GW3F4AN6E Micron Technology Inc. NAND32GW3F4AN6E -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand32GW3F4AN6E 3A991B1A 8542.32.0051 96 비 비 32gbit 50 ns 플래시 4G X 8 평행한 50ns
MT40A512M8RH-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AAT : b -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18SJ-25 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AIT : M TR 3.8331
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT47H64M16NF-25EAIT : MTR 귀 99 8542.32.0032 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT25QL256ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0SIT 5.9500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53D384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT : e -
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT48H8M32LFB5-6:H TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-6 : H TR -
RFQ
 ECAD 4478 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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