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메모리 (10402)

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MT62F768M64D4ZU-031 RF WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-031 RF WT : B TR 27.9300
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT62F768 - 557-MT62F768M64ZU-031RFWT : BTR 2,500
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3T : a -
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F16G08AJADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP : D TR -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT48H8M16LFB4-75:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75 : K TR -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H8M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT40A2G8NRE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E : b -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,140 1.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 2G X 8 평행한 -
MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 Micron Technology Inc. MT29AZ2BHGTN-18IT.110 -
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 MT29AZ2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29AZ2BHGTN-18IT.110 1,560
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
M29W800DB70ZM6E Micron Technology Inc. M29W800DB70ZM6E -
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
M29W800DT45N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT45N6F TR -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 45 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 45ns
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-AAT : C TR 36.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F16G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 16gbit 20 ns 플래시 2G X 8 onfi 20ns
MT40A16G4WPF-062H:B TR Micron Technology Inc. MT40A16G4WPF-062H : B TR 194.0100
RFQ
 ECAD 5362 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT40A16G4 sdram -ddr4 - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A16G4WPF-062H : BTR 8542.32.0071 3,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 16g x 4 - -
M29W320DT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W320DT70N3F TR -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT41K128M16JT-125 IT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 IT : k -
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AUT : f 4.2603
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT : f 1
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AAT : B TR -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 4842 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT45W1MW16BDGB-708 AT Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-708 AT -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FD TR -
RFQ
 ECAD 9726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB4064 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) EDB4064B4PB-1DIT-F-DTR 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 64m x 64 평행한 -
TE28F160C3BD70A Micron Technology Inc. TE28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F160C3 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT47H32M16HR-25E AAT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AAT : g -
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 ECAD 6168 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
M29W640GH70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GH70ZF6F TR -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT46V32M16BN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6 IT : F TR -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
EDFP112A3PB-GDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GDTJ-FD -
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
MT46V32M8TG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-5B : G TR -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 6886 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA MT52L768 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M64D4PQ-107 WT : b -
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 253-VFBGA MT52L512 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 253-VFBGA (11x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ite : d -
RFQ
 ECAD 4981 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT46V8M16P-75:D Micron Technology Inc. MT46V8M16P-75 : d -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 750 ps 음주 8m x 16 평행한 15ns
MTFC8GLXEA-WT Micron Technology Inc. MTFC8GLXEA-WT -
RFQ
 ECAD 7452 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. mt29f1g08abbfah4-aates : f -
RFQ
 ECAD 2331 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 8542.32.0071 1 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 30ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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