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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | MT29E512G08CUCDBJ6-6 : d | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MT29E512G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F16T08GSLCEG4-QB : c | 312.5850 | ![]() | 3687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F16T08GSLCEG4-QB : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08EBHBFJ4-T : B TR | - | ![]() | 5259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T : BTR | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MTFC64GAJAECE-5M AIT | - | ![]() | 8015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-LFBGA | MTFC64 | 플래시 - NAND | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | MT29VZZZAD8 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
![]() | MT47H128M8SH-25E IT : M TR | 3.7664 | ![]() | 2814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT47H128M8SH-25EIT : MTR | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 400 PS | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |
MT53E1G32D2FW-046 AIT : c | - | ![]() | 5951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT : c | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 3.5 ns | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | 18ns | ||||||||
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MT29F4G01ABBFD12-IT : F TR | - | ![]() | 9437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT29F4G01 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | MT29F4G01ABBFD12-IT : FTR | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 2,000 | 83MHz | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 4g x 1 | SPI | - | ||||
![]() | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | MT55L256L | sram-동기, zbt | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 8.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT53E768M32D2FW-046 AIT : C TR | 20.7300 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT48LC8M16A2P-6A AIT : L. | - | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC8M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | MT62F1G32D4DS-031 AAT : B TR | 32.5650 | ![]() | 3030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT : BTR | 2,000 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
MT53E1G16D1FW-046 WT : a | 11.9850 | ![]() | 4309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G16D1FW-046WT : a | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 3.5 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | MT52L256M32D1PU-107 WT ES : b | - | ![]() | 5864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | ||||||||
![]() | MT29F4G01ABBFDWB-IT : f | 4.2200 | ![]() | 8957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-udfn | MT29F4G01 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 8-updfn (8x6) (mlp8) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 83MHz | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 4g x 1 | SPI | - | |||
![]() | MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 | 27.4375 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 | 1,520 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 FAAT : C TR | 63.8550 | ![]() | 5621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E2D1BFW-DC | 22.5000 | ![]() | 7324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | MT53E2 | - | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E2D1BFW-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
![]() | MT40A2G16SKL-062E : b | - | ![]() | 1953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A2G16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (10.5x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A2G16SKL-062E : b | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 190 | 1.6GHz | 비 비 | 32gbit | 13.75 ns | 음주 | 2G X 16 | 평행한 | - | ||
![]() | MT53E2DCDS-DC | 22.5000 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | MT53E2 | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E2DCDS-DC | 1,360 | ||||||||||||||||||
MT40A8G4BAF-062E : b | - | ![]() | 5484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A8G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10.5x11) | - | 557-MT40A8G4BAF-062E : b | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 168 | 1.6GHz | 비 비 | 32gbit | 13.75 ns | 음주 | 8g x 4 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT53E1G64D4SQ-046 AAT : a | - | ![]() | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1G64 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | MT53E1G64D4SQ-046AAT : a | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | - | - | ||||||
MT40A1G8SA-062E : R TR | 6.0000 | ![]() | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A1G8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A1G8SA-062E : RTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT57W2MH8CF-5 | 28.3700 | ![]() | 518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | sram- 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 450 ps | SRAM | 2m x 8 | HSTL | - | |||
![]() | MT42L16M32D1AC-25 FAAT : a | - | ![]() | 1618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | MT42L16M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT58L128L32F1F-10 | 5.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | MT58L128L32 | sram- 동기 | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66MHz | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 128k x 32 | 평행한 | - | ||
MT53E256M32D2FW-046 AIT : B TR | 14.0850 | ![]() | 9501 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 다운로드 | 557-MT53E256M32D2FW-046AIT : BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 3.5 ns | 음주 | 256m x 32 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | MT29F8T08EWLGEM5-ITF : g | 304.1700 | ![]() | 3163 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF : g | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F2T08EMLEEJ4-QJ : e | 52.9800 | ![]() | 8773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ : e | 1 |
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