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![]() | MT41K2G4RKB-107 C : N. | - | ![]() | 9969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K2G4 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 557-MT41K2G4RKB-107C : n | 쓸모없는 | 1,440 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 20 ns | 음주 | 2G X 4 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | MT29F64G08AEAAAC5-Z : A TR | - | ![]() | 1709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-VLGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT53E128M16D1DS-046 AIT : a | - | ![]() | 7913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT53E128M16D1DS-046AIT : a | 쓸모없는 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 128m x 16 | - | - | ||||||||
![]() | MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR | - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 주사위 | - | 쓸모없는 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | MT29F4G08ABAEAH4 : E TR | 4.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT48LC16M8A2P-75 : G TR | - | ![]() | 5811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
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![]() | MT46V16M16FG-75 : F TR | - | ![]() | 5482 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
MT41J64M16JT-125E : g | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41J64M16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||||||
![]() | MT46H256M32L4SA-48 WT : C. | - | ![]() | 3947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-TFBGA | MT46H256M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 168-TFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 5 ns | 음주 | 256m x 32 | 평행한 | 14.4ns | |||
![]() | MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR | 8.5976 | ![]() | 5274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | MT28GU512 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-TBGA (10x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 96 ns | 플래시 | 64m x 8 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 | ||
MT48H4M16LFB4-8 IT TR | - | ![]() | 8483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H4M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.9V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 6 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | MT46H64M32L2CG-5 IT : a | - | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 152-VFBGA (14x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53B384M64D4NK-062 WT ES : B TR | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 366-WFBGA | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | ||||
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![]() | MT29F1T08CPCBBH8-6C : b | - | ![]() | 4914 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-lbga | MT29F1T08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | 평행한 | - | |||||
MT53E1G32D2FW-046 IT : a | 27.1500 | ![]() | 7860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046IT : a | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | 18ns | ||||||||||
![]() | MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT | - | ![]() | 2531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MT29C4G48 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 153-VFBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (lpdram) | 평행한 | - | |||||
![]() | JS28F128M29ewhf | - | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | JS28F128M29 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 128mbit | 70 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT29F4G08ABCHC-ET : C TR | - | ![]() | 1973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29F8G08FACWP : C Tr | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F8G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | - | |||||
MT29F64G08CBEFBWP : f | - | ![]() | 8075 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F64G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | |||||||
![]() | MT48LC16M8A2TG-75 IT : G TR | - | ![]() | 3267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
N25Q512A13G1240E | - | ![]() | 8918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | N25Q512A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-1568 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 108 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 128m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MT25QL256ABA1EW9-0AAT | - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | MT25QL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wpdfn (6x8) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 133 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||
![]() | MT61K512M32KPA-24 : u tr | 33.4650 | ![]() | 8915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 180-TFBGA | sgram -gddr6 | 1.3095V ~ 1.3905V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-24 : UTR | 2,000 | 12GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | pod_135 | - | |||||||||
![]() | M29W800FB70N3E | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W800 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 8mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 70ns | |||||
![]() | MT29F64G08AECDBJ4-6IT : d | - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | EDFP112A3PF-GDTJ-FD | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | EDFP112 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 192m x 128 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29F64G08AJABAWP-IT : b | - | ![]() | 1892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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