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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F4T08GMLCEJ4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QB : C. 78.1500
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB : C. 1
MT49H16M36FM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-25E : B TR -
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AATES : g 5.4935
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT53D8DAHR-DC Micron Technology Inc. MT53D8DAHR-DC -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 366-WFBGA MT53d8 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,360 휘발성 휘발성 음주 - -
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT ES : A TR -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT : b -
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MTFC4GLDDQ-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GLDDQ-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC4 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULGEM4-ITF : G TR 130.1100
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF : GTR 2,000
MTFC64GAOAMEA-WT ES Micron Technology Inc. MTFC64GAOAMEA-WT ES -
RFQ
 ECAD 2002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 MTFC64 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,520
M58BW32FB5T3F TR Micron Technology Inc. M58BW32FB5T3F TR -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80BQFP M58BW32 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.3V 80-PQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 500 비 비 32mbit 55 ns 플래시 1m x 32 평행한 55ns
MT49H32M18SJ-18:B Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-18 : b -
RFQ
 ECAD 1027 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12Z : A TR -
RFQ
 ECAD 1886 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 TR 16.7100
RFQ
 ECAD 4821 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112TR 2,000
M29W400FB55N3E Micron Technology Inc. M29W400FB55N3E -
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT53E768M64D4HJ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 9885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT : ATR 쓸모없는 2,000
MT29F128G08CBEABH6-12:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12 : A TR -
RFQ
 ECAD 9322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT25QL128ABB1EW7-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CAUT -
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53B1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT29F2G08AACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AACWP : C Tr -
RFQ
 ECAD 2044 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT46V32M8FG-6 L:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-6 L : g -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT53B384M16D1Z0APWC1 Micron Technology Inc. MT53B384M16D1Z0APWC1 -
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 휘발성 휘발성 6gbit 음주 384m x 16 - -
MTFC16GAKAENA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAENA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MTFC16GAKAECN-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-5M AIT TR -
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
PC28F128J3D75D TR Micron Technology Inc. PC28F128J3D75D TR -
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT28F128J3BS-12 MET Micron Technology Inc. MT28F128J3BS-12 MET -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F128J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128mbit 120 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 -
M29F400FT55M32 Micron Technology Inc. M29F400FT55M32 -
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 240 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT29F4G08BBBWP TR Micron Technology Inc. MT29F4G08BBBWP TR -
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT -
RFQ
 ECAD 6087 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29F128G08CBEABH6-12:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12 : a -
RFQ
 ECAD 4785 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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