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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F1T08EELGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F1T08ELGEJ4-ITF : G TR 38.2050
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F1T08ELGEJ4-ITF : GTR 2,000
MT45W4MW16BBB-706 L WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BBB-706 L WT TR -
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT58L64L18PT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-10 7.1900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 1mbit 5 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
M58LR256KB70ZQ5Z Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5Z -
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 88-TFBGA M58LR256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 253 66MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT29F512G08CMECBH7-12:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CMECBH7-12 : c -
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 ECAD 2311 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46H8M32LFB5-6:H Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-6 : h -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 12ns
EDF8132A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDF8132 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MT29F1T08EELGEJ4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F1T08ELGEJ4-ITF : g 38.2050
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 ECAD 2236 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F1T08ELGEJ4-ITF : g 1
MT53D8DAWF-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DAWF-DC TR -
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 ECAD 8420 0.00000000 Micron Technology Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53d8 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT62F4G32D8DV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT : B TR 90.4650
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 ECAD 1619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
PC28F256P33T85A Micron Technology Inc. PC28F256P33T85A -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12Z : a -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6ITR : c -
RFQ
 ECAD 4845 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
RC28F320J3D75B TR Micron Technology Inc. RC28F320J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 32mbit 75 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 75ns
JS28F320J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F320J3F75B TR -
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F320J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 32mbit 75 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 75ns
MT53B128M32D1DS-062 IT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 IT : a -
RFQ
 ECAD 2849 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53B128M32D1DS-062IT : a 귀 99 8542.32.0036 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
M29W128GSL70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W128GSL70ZA6F TR -
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 ECAD 1976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT29F32G08CBACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP : C TR -
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT46V16M16TG-75 IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 IT : F TR -
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 ECAD 2303 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 -
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT48LC8M16A2P-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT : g -
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
MT46V64M8P-6T IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T IT : F TR -
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B1024M64D8PM-062 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
M28W160CT70N6F TR Micron Technology Inc. M28W160CT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M28W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT42L128M64D2LL-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-25 IT : a -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT42L128M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,008 400MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAC5-IT : a -
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
M29W128FL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128FL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 136 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 IT : D TR -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT44K32M18RB-093:A Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093 : a -
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT48LC8M16LFB4-10:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-10 : g -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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