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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M29W160EB90N6 Micron Technology Inc. M29W160EB90N6 -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 90 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 90ns
MT48LC32M16A2P-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48LC32MM16A2P-75 IT : c -
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT25QU128ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8ESF-0AAT 4.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M29W400DB55N1 Micron Technology Inc. M29W400DB55N1 -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT28F320J3FS-11 ET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3FS-11 et tr -
RFQ
 ECAD 4040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
MT46V64M8BN-5B:D Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-5B : d -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MTFC16GALAHEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GALAHEA-WT TR -
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 ECAD 7671 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16 플래시 - NAND - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29C4G48MAYAMAKC-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYAMAKC-5 IT -
RFQ
 ECAD 8304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 107-tfbga MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 107-tfbga 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 128m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT41K2G8KJR-125:A Micron Technology Inc. MT41K2G8KJR-125 : a -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,020 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 13.5 ns 음주 2G X 8 평행한 -
N25Q032A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q032A13E1241E -
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AIT : b 19.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256M32D2DS-053AIT : b 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
NAND02GAH0LZC5E Micron Technology Inc. NAND02GAH0LZC5E -
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-LFBGA NAND02G 플래시 - NAND 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -nand02gah0lzc5e 3A991B1A 8542.32.0071 136 52MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 MMC -
MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT : A TR 6.5700
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E128M3DS-053WT : ATR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
MT47H64M8CF-25E:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E : G TR -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT28F400B5WP-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT58V1MV18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V1MV18ft-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
MT62F2G32D4DS-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AUT : c 73.4400
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT62F2G32D4DS-023AUT : c 1
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B AIT : J TR -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT48V8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 IT TR -
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 ECAD 2422 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT48LC32M8A2P-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A : d -
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 12ns
MT40A2G4TRF-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4TRF-083E : a -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
M29W800DB70M6 Micron Technology Inc. M29W800DB70M6 -
RFQ
 ECAD 4504 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.525 ", 13.34mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 16 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
PC28F128P33B85A Micron Technology Inc. PC28F128P33B85A -
RFQ
 ECAD 6813 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT29F4G08ABAEAH4-S:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-S : e -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT41K1G16DGA-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G16DGA-125 : a -
RFQ
 ECAD 2317 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K1G16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9.5x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,020 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 13.75 ns 음주 1g x 16 평행한 -
MT29F64G08CECCBH1-12:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12 : c -
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F8G16ABACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAH4 : c -
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT49H32M18CBM-18:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CBM-18 : b -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT41J128M16JT-107:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107 : k -
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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