SIC
close

메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-083E : A TR -
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 7.5 ns 음주 64m x 18 평행한 -
MT41J512M8RA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J512M8RA-15E IT : d -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J512M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (10.5x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.5 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT29F1G16ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAHC : e -
RFQ
 ECAD 7297 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3R : A TR -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3R : ATR 쓸모없는 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M64D4NZ-053 WT : b -
RFQ
 ECAD 2628 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256M64D4NZ-053WT : b 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
EDBA164B2PR-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA164B2PR-1D-FD -
RFQ
 ECAD 7791 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-VFBGA EDBA164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT29F16G08DAAWP-ET:A TR Micron Technology Inc. MT29F16G08DAAWP-et : A TR -
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3T : A TR -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F2T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT49H32M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CBM-25 IT : b -
RFQ
 ECAD 4385 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT28EW01GABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1ljs-0aat -
RFQ
 ECAD 8442 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 1gbit 105 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT42L64M64D2LL-18 WT:C Micron Technology Inc. MT42L64M64D2LL-18 WT : C. -
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT42L64M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 64m x 64 평행한 -
MT28F004B5VP-8 T Micron Technology Inc. MT28F004B5VP-8 T -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F004B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8 평행한 80ns
MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-ITZ : a -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT28F800B3WG-9 B Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 b -
RFQ
 ECAD 2295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT ES : e -
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,140 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
M29DW641F60ZE6E Micron Technology Inc. M29DW641F60ZE6E -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29DW641 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 187 비 비 64mbit 60 ns 플래시 4m x 16 평행한 60ns
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCABJ3-10Z : A Tr -
RFQ
 ECAD 3090 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29E512G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
PC28F256J3F95A Micron Technology Inc. PC28F256J3F95A -
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
M58WR064KU70ZA6E Micron Technology Inc. M58WR064KU70ZA6E -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 88-VFBGA M58WR064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,100 66MHz 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
MT48H4M32LFB5-75 IT:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-75 IT : k -
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H4M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B768M64D8WF-062 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 1004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
EDFA164A2PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PK-GD-FD -
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT53D2DADS-DC TR Micron Technology Inc. MT53D2DADS-DC TR -
RFQ
 ECAD 2461 0.00000000 Micron Technology Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53D2 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
MT25QL512ABB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-0SIT 9.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-ait : g 2.5267
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G16 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F2G16ABAGAWP-ait : g 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
N25Q128A23B1241E Micron Technology Inc. N25Q128A23B1241E -
RFQ
 ECAD 6758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q128A23 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L 7.3700
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V - - 557-MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L 1 비 비 8gbit 25 ns 플래시 1g x 8 onfi 25ns
MT53D1536M64D8EG-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D1536M64D8EG-046 WT : A TR 55.8750
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT53D1536M64D8EG-046WT : ATR 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다