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메모리 (10402)

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MT29F2G16AADWP-ET:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G16AADWP-et : D TR -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 MT29VZZZ7 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
TE28F160B3TD70A Micron Technology Inc. TE28F160B3TD70A -
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F160B3 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 576 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10RZ : a -
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT47H128M8HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3 : E TR -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
M29W256GH7AZS6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AZS6E -
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 ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT28F800B5SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 BET TR -
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 ECAD 2795 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT53D512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT : b -
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 ECAD 5920 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAAT-FD -
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 ECAD 4493 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB1332 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,100 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
EDFA164A2PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PF-JD-FD -
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 ECAD 9506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
PC28F128P33TF60E TR Micron Technology Inc. PC28F128P33TF60E TR -
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 ECAD 7747 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 128mbit 60 ns 플래시 8m x 16 평행한 60ns
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RCT-125E : A TR -
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 ECAD 9729 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga MT44K32M36 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 12 ns 음주 32m x 36 평행한 -
N25Q064A11ESECFE Micron Technology Inc. n25q064a11esecfe -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT41K256M8DA-125:M Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 : m -
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 ECAD 3506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT29F64G08ABEBBM84C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08ABEBBM84C3WC1 -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT48LC8M8A2TG-7E L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-7E L : G. -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 14ns
MT47H32M16BN-3 IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-3 IT : D TR -
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 ECAD 8812 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53B1DBDS-DC TR Micron Technology Inc. MT53B1DBDS-DC TR -
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 ECAD 5886 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
M25PE80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25PE80-VMN6TP TR -
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 ECAD 3000 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 3ms
MT48LC4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-10 : g -
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 ECAD 7065 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT46V64M8BN-5B:D Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-5B : d -
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 ECAD 9220 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAMD-IT : E TR -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29F1G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MTFC8GAMALNA-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-aat es tr -
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 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC8 플래시 - NAND - 100-TBGA (14x18) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
M29W800DB45ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DB45ZE6E -
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 ECAD 3833 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 1,122 비 비 8mbit 45 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 45ns
M29W320EB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W320EB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT48V8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-8 IT -
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 ECAD 7536 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) - rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 XT ES : B TR -
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 216-WFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AUT : a -
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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