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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT49H32M18BM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-25 : B TR -
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT58L512Y36DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512Y36DT-7.5 18.9400
RFQ
ECAD 255 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L512Y36 SRAM 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4.2 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADYAKE-5 IT -
RFQ
ECAD 6720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,190 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT58L64L36PT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L36pt-10tr 4.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 500 100MHz 휘발성 휘발성 2mbit 5 ns SRAM 64k x 36 평행한 -
MT28EW256ABA1LJS-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew256aba1ljs-0sit 9.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
MT28F400B3SG-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 b -
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ECAD 3010 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT : E TR -
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ECAD 1943 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E384M32DS-046AIT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT28F640J3FS-115 MET Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 MET -
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ECAD 2916 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-023 WT : B TR 37.2450
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ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F1G64D4ZV-023WT : BTR 2,500
MTFC64GAOAMEA-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC64GAOAMEA-WT ES TR -
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ECAD 6892 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MTFC64 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT44K32M36RB-083E:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-083E : a -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.2GHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 7.5 ns 음주 32m x 36 평행한 -
M29F400FT5AN6E2 Micron Technology Inc. M29F400FT5AN6E2 -
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBB05A3WC1 -
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ECAD 9800 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-IT : E TR -
RFQ
ECAD 2502 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
M29W128GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W128GH7AN6E -
RFQ
ECAD 9896 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR 10.3950
RFQ
ECAD 6998 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M25P16-VMF6TP TR Micron Technology Inc. M25P16-VMF6TP TR -
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ECAD 5001 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT48LC2M32B2P-6A:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A : J. -
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ECAD 7518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT58L128L36D1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L36D1T-10 6.5300
RFQ
ECAD 324 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
MT29F8G08ADADAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADADAH4 : D TR -
RFQ
ECAD 5881 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10ITZ : a 46.5700
RFQ
ECAD 418 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
PC28F128J3D75D TR Micron Technology Inc. PC28F128J3D75D TR -
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ECAD 7327 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1lpc-0aat tr -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 105 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
M28W320HSU70ZB6E Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZB6E -
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ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 47-TFBGA M28W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,380 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MTFC32GANALEA-WT Micron Technology Inc. MTFC32GANALEA-WT -
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MTFC32G - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520
M25PX16-VMN6P Micron Technology Inc. M25PX16-VMN6P -
RFQ
ECAD 4031 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F2G16AADWP-ET:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G16AADWP-et : D TR -
RFQ
ECAD 9801 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR -
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 MT29VZZZ7 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
TE28F160B3TD70A Micron Technology Inc. TE28F160B3TD70A -
RFQ
ECAD 7413 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F160B3 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 576 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10RZ : a -
RFQ
ECAD 4274 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고