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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U	-	RFQ	4244	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는				MT29RZ4				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
M29DW323DB70ZE6F TR	-	RFQ	8965	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29DW323	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	2,500		비 비	32mbit	70 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	70ns
MT62F1G32D4DS-031 AUT : B TR	37.4700	RFQ	4010	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F1G32D4DS-031AUT : BTR			2,000	3.2GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	평행한	-
MT46V128M8P-6T : A TR	-	RFQ	2608	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V128M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	700 PS	음주	128m x 8	평행한	15ns
MT29F512G08EBLEEJ4-M : E TR	10.7250	RFQ	4815	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-M : ETR			2,000
N25Q064A13EF840F TR	-	RFQ	5040	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (mlp8) (8x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	16m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT53E1G32D2FW-046 AAT : A TR	32.8500	RFQ	7552	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	다운로드				557-MT53E1G32D2FW-046AAT : ATR			2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	평행한	18ns
MT48H16M32L2F5-8 IT	-	RFQ	6181	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	512mbit	7.5 ns	음주	16m x 32	평행한	-
MT48LC16M8A2FB-7E : g	-	RFQ	7024	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-FBGA	MT48LC16M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	60-FBGA (8x16)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	16m x 8	평행한	14ns
MT62F1G32D2DS-026 WT : C TR	22.8450	RFQ	7250	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	200-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F1G32D2DS-026WT : CTR			2,000	3.2GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	평행한	-
N25Q032A13E1241F TR	-	RFQ	6417	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	N25Q032A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	비 비	32mbit		플래시	8m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT45W8MW16BGX-701 IT TR	-	RFQ	1660	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	54-VFBGA	MT45W8MW16	psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	104 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	70 ns	psram	8m x 16	평행한	70ns
MT25QL128ABA8E54-0SIT TR	-	RFQ	8806	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT25QL128				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	5,000
MT29F4G08ABADAWP-ITX : D TR	6.5300	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT29F64G08CBABBWPR : B TR	-	RFQ	5535	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT48LC8M16LFB4-10 IT : g	-	RFQ	9216	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
M50FLW040AK5G	-	RFQ	5192	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	M50FLW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	32	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
MT48LC4M16A2TG-75 : G TR	-	RFQ	5799	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.4 ns	음주	4m x 16	평행한	15ns
MT53B512M32D2DS-062 AIT : c	-	RFQ	3432	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT35XU02GCBA1G12-0SIT TR	29.6550	RFQ	4332	Micron Technology Inc.	XCCELA ™ -MT35X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TBGA	MT35XU02	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	200MHz	비 비	2gbit		플래시	256m x 8	xccela 버스	-
MT41J512M8RA-15E IT : d	-	RFQ	4304	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41J512M8	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (10.5x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.5 ns	음주	512m x 8	평행한	-
mt25qu128aba1ew9-0sit tr	2.9762	RFQ	2662	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QU128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-WPDFN (8x6) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
Mt28ew512aba1ljs-0sit tr	8.4750	RFQ	6072	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28ew512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	512mbit	95 ns	플래시	64m x 8, 32m x 16	평행한	60ns
MT53B512M64D4EZ-062 WT : B TR	-	RFQ	4792	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT48H16M32L2F5-8 TR	-	RFQ	3252	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	512mbit	7.5 ns	음주	16m x 32	평행한	-
MT47H64M8CF-187E : g	-	RFQ	9344	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H64M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	350 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT40A512M8HX-083E : a	-	RFQ	2718	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A512M8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	1.2GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	512m x 8	평행한	-
mt29f1g08abadawp : d	-	RFQ	8981	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES : d	-	RFQ	8437	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D2048	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	2G X 32	-	-
MT41K256M16LY-107 : N TR	-	RFQ	9961	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K256M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (7.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	휘발성 휘발성	4gbit	20 ns	음주	256m x 16	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²