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메모리 (10402)

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MT47H128M8CF-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 IT : h -
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
EDFA164A2PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
NAND256W3A2BN6E Micron Technology Inc. NAND256W3A2BN6E -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND256 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 50 ns 플래시 32m x 8 평행한 50ns
MT47H64M16HR-3 IT:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
EDFP164A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFP164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 평행한 -
MT28F400B5WG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 T TR -
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-8 XT : G TR -
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 ECAD 5439 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48V8M16 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT41K256M16HA-125 M AIT:E Micron Technology Inc. MT41K256MA-125 M AIT : e -
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 ECAD 4803 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
NAND256W3A2BNXE Micron Technology Inc. NAND256W3A2BNXE -
RFQ
 ECAD 1063 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND256 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 256mbit 50 ns 플래시 32m x 8 평행한 50ns
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX : e 3.7300
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 ECAD 906 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT41J256M16HA-093G:E Micron Technology Inc. MT41J256MA-093G : e -
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MTFC16GLUAM-WT Micron Technology Inc. MTFC16GLUAM-WT -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F64G08AEAAAC5:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAC5 : A TR -
RFQ
 ECAD 3048 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MTFC4GLGDQ-AIT A Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait a 9.2611
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mtfc4glgdq-aita 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT29F4T08EULEEM4-T:E TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EUEEM4-T : E TR 85.8150
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 132-BGA 플래시 -Nand (TLC) 2.6V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - 557-MT29F4T08EUEEM4-T : ETR 2,000 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
MT41K256M16TW-107 AT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AT : P. -
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) MT41K256M16TW-107AT : p 귀 99 8542.32.0036 1 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MTFC4GMWDQ-3M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMWDQ-3M AIT TR -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDWB-IT : F TR 3.0165
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn MT29F4G01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-updfn (8x6) (mlp8) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MT29F4G01ABAFDWB-IT : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 4gbit 플래시 4g x 1 SPI -
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-062 WT : C. -
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53B1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-ITZ : A TR 38.7300
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
M25PX32-VMF6E Micron Technology Inc. M25PX32-VMF6E -
RFQ
 ECAD 2423 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT41K2G4RKB-107 C:N Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107 C : N. -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MT41K2G4RKB-107C : n 쓸모없는 1,440 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 2G X 4 평행한 15ns
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-Z : A TR -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53E128M16D1DS-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-046 AIT : a -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E128M16D1DS-046AIT : a 쓸모없는 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 - -
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 주사위 - 쓸모없는 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29F4G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4 : E TR 4.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT48LC16M8A2P-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 15ns
EDF8132A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-JD-FD -
RFQ
 ECAD 3336 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDF8132 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 평행한 -
MT46V16M16FG-75:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16FG-75 : F TR -
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT41J64M16JT-125E:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-125E : g -
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J64M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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