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![]() | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES : A TR | 77.9550 | ![]() | 4182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F2T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES : ATR | 8542.32.0071 | 2,000 | 333 MHz | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | M29W400DB70ZE6E | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | M29W400 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 187 | 비 비 | 4mbit | 70 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 70ns | |||
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![]() | MTFC8GLDEA-4M IT | - | ![]() | 5799 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,520 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | mtfc8gakajcn-4m it tr | - | ![]() | 8525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29F2G08ABAGAH4-ite : g | 2.0207 | ![]() | 7844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -mt29f2g08abagah4- 라이트 : gtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT52L256M32D1PF-093 WT : B TR | - | ![]() | 6360 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 178-VFBGA | MT52L256 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1067 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | |||
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![]() | MT40A512M16LY-062E AIT : E TR | 9.2250 | ![]() | 3525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A512M16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT40A512M16LY-062EAIT : ETR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 19 ns | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | 15ns | |
MT48V8M32LFB5-10 TR | - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48V8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 2.3V ~ 2.7V | 90-VFBGA (8x13) | - | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT29F8G08ABACAH4 : C TR | - | ![]() | 4102 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F8G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H | - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 121-WFBGA | MT29RZ1CV | 플래시 -nand, dram -lpddr2 | 1.8V | 121-VFBGA (8x7.5) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | 533 MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDDR2) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 32M X 16 (LPDDR2) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT48LC16M16A2BG-75 : d | - | ![]() | 9512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고