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메모리 (10402)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4G08ABAFAH4-ites : f | - |  | 4948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
 | MT53D256M16D1NY-046 XT ES : B TR | - | | 8212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | ||||||
 | MT29F2G08ABAEAH4-AITX : E TR | 5.1300 | | 642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||
| MT44K64M18RB-083E : A TR | - | | 4059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K64M18 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 1.125gbit | 7.5 ns | 음주 | 64m x 18 | 평행한 | - | |
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 | MT47H32M16BN-3 IT : D TR | - | | 8812 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (10x12.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 450 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT | - | | 5911 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-WFBGA | MT29C4G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||
 | MT29F64G08CBCABH1-10Z : a | - | | 8804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||
 | MT46V64M8TG-75 IT : D TR | - | | 4811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | - | rohs 비준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |
 | MT48LC8M16A2TG-75 : g | - | | 2535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC8M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | MT46V32M16FN-75 : C TR | - | | 8320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | rohs 비준수 | 5 (48 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | MT58L128L32P1T-10 | 7.5200 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 5 ns | SRAM | 128k x 32 | 평행한 | - | ||
 | MT29F512G08CKCCBH7-6R : c | - | | 5136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-TBGA | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | ||
| MT46V64M4P-5B : m | - | | 2005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
| MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R | - | | 8918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F384G08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 주사위 | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 384gbit | 플래시 | 48g x 8 | 평행한 | - | |||
| MT48LC16M16A2B4-7E : g | - | | 6311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | |
| MT29F4G08ABAFAH4-AATES : F TR | - | | 6538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||
| MT48LC8M16A2TG-75 : G TR | - | | 2127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC8M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | M29W160EB70N6F TR | - | | 3100 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 16mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 8, 1m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
| MT47H32M16BN-5E IT : D TR | - | | 1416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (10x12.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 600 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |
| MT48LC64M4A2TG-75 : D TR | - | | 1331 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC64M4A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | |
 | MTFC32GJDDQ-4M IT | - | | 4054 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC32G | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | |||
| MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 | - | | 2824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | PZ28F064M29EWLA | - | | 8004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | PZ28F064M29 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-BGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 비 비 | 64mbit | 60 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 60ns | ||
 | MT46H8M16LFBF-6 : k | - | | 9917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-VFBGA | MT46H8M16 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (8x9) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | MT29E256G08CBHBBJ4-3ES : b | - | | 7786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29E256G08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,120 | 333 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||
 | MT42L32M32D2AC-25 AIT : A TR | - | | 3807 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | MT42L32M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | - | ||
| MT48LC16M16A2Y66AWC1 | - | | 9560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | |
| MT29F64G08CBEDBL84C3WC1 | - | | 9687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 주사위 | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||
 | MT29E256G08CECCBH6-6 : c | - | | 5447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29E256G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - |
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