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메모리 (10402)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT25QL512ABB8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-1SIT -
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M25P16-VMC6G Micron Technology Inc. M25P16-VMC6G -
RFQ
 ECAD 2323 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
M29F800DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29F800DB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 4515 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT46V32M16BN-5B:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B : C TR -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
EDFA164A2MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2MA-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AIT : e -
RFQ
 ECAD 7210 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M32D4DT-046AIT : e 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT49H16M36SJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18 : B TR 53.2200
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
N25Q256A33EF840F Micron Technology Inc. N25Q256A33333EF840F -
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q256A33 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U Micron Technology Inc. MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U -
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT58L256V32PF-6 Micron Technology Inc. MT58L256V32PF-6 8.9300
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 ECAD 178 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA MT58L256V32 sram- 동기 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 3.5 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MT41K512M16TNA-125:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 : e -
RFQ
 ECAD 7244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.5 ns 음주 512m x 16 평행한 -
M28W640HCB70N6E Micron Technology Inc. M28W640HCB70N6E -
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M28W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-1582 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
M29W256GSL70ZS6F Micron Technology Inc. M29W256GSL70ZS6F -
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT55L128L32F1T-10 Micron Technology Inc. MT55L128L32F1T-10 5.9300
RFQ
 ECAD 602 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
PC28F256P33BFF TR Micron Technology Inc. PC28F256P33BFF TR -
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
M25PE20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PE20-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 3ms
MTFC128GAOANEA-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GAOANEA-WT ES TR -
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC128 플래시 - NAND - - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AAT : d 39.1050
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
JS28F512P30EF0 Micron Technology Inc. JS28F512P30EF0 -
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 40MHz 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 110ns
MT28EW01GABA1LPC-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1lpc-0sit -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 1gbit 95 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
M29F400BB55N1 Micron Technology Inc. M29F400BB55N1 -
RFQ
 ECAD 6038 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT45W4MW16BBB-706 L WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BBB-706 L WT -
RFQ
 ECAD 2337 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT25QU01GBBB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBB8E12-0AUT TR 19.8600
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC2GMUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc2gmuea-wt tr -
RFQ
 ECAD 5451 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - mtfc2g 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 MMC -
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-F Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-F 16.0700
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-F 1
MT29F16G08ABACAM72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAM72A3WC1P -
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 ECAD 2254 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-ITX : E TR -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
PC28F256J3F95A Micron Technology Inc. PC28F256J3F95A -
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1ljs-0sit tr 8.4750
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 ECAD 6072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT45W2MW16BGB-708 AT Micron Technology Inc. MT45W2MW16BGB-708 AT -
RFQ
 ECAD 5652 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W2MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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