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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
EDBM432B3PD-1D-FR TR	-	RFQ	1788	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDBM432	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	평행한	-
MT49H32M18CFM-25E : b	-	RFQ	7461	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	32m x 18	평행한	-
JS28F128J3D75A	-	RFQ	5540	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F128J3	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576		비 비	128mbit	75 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	75ns
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES : e	-	RFQ	8720	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	556-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	556-WFBGA (12.4x12.4)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT48H16M16LFBF-6 IT : h	-	RFQ	6087	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H16M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	54-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5 ns	음주	16m x 16	평행한	15ns
MT62F768M32D2DS-023 AUT : B TR	40.9050	RFQ	4228	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT62F768M32D2DS-023AUT : BTR			2,000
MTFC4GACAANA-4M IT TR	-	RFQ	6461	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-TBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		mtfc4gacaana-4mittr	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
MT28HL16GPBB3EBK-0GCT	-	RFQ	4639	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	270
M25PX80-VMW6TG TR	-	RFQ	7548	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	M25PX80	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8- w	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
M29W256GL70ZS6F TR	-	RFQ	3281	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	M29W256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800		비 비	256mbit	70 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	70ns
M29W256GH70N6F TR	-	RFQ	6097	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29W256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,200		비 비	256mbit	70 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	70ns
M29W640GT70ZA6EP	-	RFQ	3621	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-M29W640GT70ZA6EP	3A991B1A	8542.32.0071	187		비 비	64mbit	70 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	70ns
M50FW040K5G	-	RFQ	3337	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	M50FW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	32	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
N25Q00AA1G1240E	-	RFQ	3488	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-lbga	N25Q00AA11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-LPBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,122	108 MHz	비 비	1gbit		플래시	256m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT46V64M8P-75Z : D TR	-	RFQ	1335	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT29F2G08ABAGAWP-AATES : g	5.4935	RFQ	9732	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F2G08	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			8542.32.0071	960		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
GE28F160C3TD70A	-	RFQ	9799	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	46-VFBGA	GE28F160C3	플래시 - 블록 부트	2.7V ~ 3.6V	46-VFBGA (7.29x6.96)	다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	250		비 비	16mbit	70 ns	플래시	1m x 16	평행한	70ns
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT : d	-	RFQ	1652	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
MT41K512M8RH-107 : e	-	RFQ	3924	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	4gbit	20 ns	음주	512m x 8	평행한	-
M29F800FB52M3F2 TR	-	RFQ	5499	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	M29F800	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	44-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500		비 비	8mbit	55 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	55ns
M50FLW080BK5TG TR	-	RFQ	8271	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	M50FLW080	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	750	33MHz	비 비	8mbit	250 ns	플래시	1m x 8	평행한	-
MT53D8DANW-DC	-	RFQ	6955	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는				MT53d8				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190
MTFC8GACAEDQ-K1 AIT TR	-	RFQ	4362	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC8	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	MMC	-
M25P10-AVMN6TP TR	-	RFQ	8910	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P10	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500	50MHz	비 비	1mbit		플래시	128k x 8	SPI	15ms, 5ms
MT41K64M16TW-107 AAT : J TR	5.9700	RFQ	724	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K64M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	20 ns	음주	64m x 16	평행한	-
MT40A1G8SA-062E IT : J TR	-	RFQ	8042	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A1G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT40A1G8SA-062EIT : jtr	귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	8gbit	19 ns	음주	1g x 8	평행한	15ns
MT53B192M32D1SG-062 WT ES : A TR	-	RFQ	7917	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B192	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	6gbit		음주	192m x 32	-	-
MT53D512M32D2DS-046 WT ES : d	-	RFQ	4346	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT25QL128ABA1EW7-0SIT TR	4.6900	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-wpdfn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT46H64M16LFBF-5 AAT : b	-	RFQ	9716	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H64M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,782	200MHz	휘발성 휘발성	1gbit	5 ns	음주	64m x 16	평행한	15ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²