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메모리 (10402)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F16T08GSLCEM9-QB : C.	312.5850	RFQ	3231	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F16T08GSLCEM9-QB : C.			1
M45PE40S-VMN6P	-	RFQ	8308	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M45PE40	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,000	75MHz	비 비	4mbit		플래시	512k x 8	SPI	15ms, 3ms
MT46V32M4P-6T : D TR	-	RFQ	2358	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M4	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	700 PS	음주	32m x 4	평행한	15ns
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MT48H4M16LFB4-75 IT : h	-	RFQ	8846	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.9V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	6 ns	음주	4m x 16	평행한	15ns
MT53D4DCFL-DC	-	RFQ	9180	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,120
MT40A4G4HPR-075H : G TR	-	RFQ	4181	Micron Technology Inc.	Twindie ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-	MT40A4G4	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	-	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)		MT40A4G4HPR-075H : GTR	쓸모없는	0000.00.0000	2,000	1.33 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	4G X 4	평행한	-
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F	-	RFQ	6320	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	162-VFBGA	MT29RZ2B2	플래시 -nand, dram -lpddr2	1.8V	162-VFBGA (10.5x8)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,440	533 MHz	비 비, 휘발성	2GBIT (NAND), 2GBIT (LPDDR2)		플래시, 램	256m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2)	평행한	-
MT42L384M32D3LP-25 WT : a	-	RFQ	6430	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT42L384M32	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	-	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1	400MHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	평행한	-
MT48LC8M16A2P-7E : G TR	-	RFQ	8593	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	14ns
MT29F512G08EMCBBJ5-10 : b	-	RFQ	7619	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F512G08	플래시 -Nand (TLC)	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,120	100MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
PC28F640P33BF60A	-	RFQ	2818	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	PC28F640	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52MHz	비 비	64mbit	60 ns	플래시	4m x 16	평행한	60ns
MT29E4T08CTHBBM5-3 : b	-	RFQ	9210	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29E4T08	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	-	-			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	비 비	4tbit		플래시	512g x 8	평행한	-
MT51J256M32HF-80 : b	-	RFQ	8979	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V	170-FBGA (12x14)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	1,260	2GHz	휘발성 휘발성	8gbit		숫양	256m x 32	평행한	-
MTFC128GASAONS-AIAT TR	67.0200	RFQ	3370	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MTFC128GASAONS-AITTR			2,000
MT46H32M16LFBF-6 AAT : c	-	RFQ	4334	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	60-VFBGA	MT46H32M16	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	60-VFBGA (8x9)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,782	166 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5 ns	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT53D512M32D2NP-046 AIT : d	-	RFQ	5411	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	512m x 32	-	-
MT29F1G08ABBEAHC-IT : E TR	-	RFQ	7881	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G08	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (10.5x13)	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT29F2G08ABAFAH4-ITS : F TR	-	RFQ	6740	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F2G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
RC48F4400P0VB0EA	-	RFQ	7427	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC48F4400	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864	52MHz	비 비	512mbit	100 ns	플래시	32m x 16	평행한	100ns
MT29F256G08EBHAFJ4-3R : A TR	-	RFQ	4560	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (TLC)	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
mtfc4glgdq-ait tr	-	RFQ	7626	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
mt28ew01gaba1lpc-0aat	-	RFQ	7986	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	MT28ew01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-lbga (11x13)	다운로드			영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	1gbit	105 ns	플래시	128m x 8, 64m x 16	평행한	60ns
PC28F00AM29ewha	-	RFQ	2097	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	PC28F00A	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		비 비	1gbit	100 ns	플래시	128m x 8, 64m x 16	평행한	100ns
MT53D512M64D4NY-046 XT ES : d	-	RFQ	2287	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V		-		1 (무제한)			귀 99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT29F128G08AMCABH2-10Z : A TR	-	RFQ	5853	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-TBGA (12x18)	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT41K512M4DA-125 : m	-	RFQ	5185	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K512M4	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x10.5)	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	2gbit	13.75 ns	음주	512m x 4	평행한	-
MT29F4T08CTHBBM5-3RES : B TR	-	RFQ	7175	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F4T08	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	-	-	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	4tbit		플래시	512g x 8	평행한	-
MT29F4T08GMLCEJ4-QJ : C.	78.1500	RFQ	9883	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QJ : C.			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²