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메모리 (10402)

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M25PX80-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 5045 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADBDAH4-IT : d -
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B IT : M TR 5.9988
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT62F768M64D4ZU-031 RF WT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-031 RF WT : b 27.9300
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 MT62F768 - 557-MT62F768M64ZU-031RFWT : b 1
MT45W8MW16BGX-856 AT Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-856 AT -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W8MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 66MHz 휘발성 휘발성 128mbit 85 ns psram 8m x 16 평행한 85ns
PC28F00AP30TF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP30TF0 -
RFQ
 ECAD 4740 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F00A 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 52MHz 비 비 1gbit 100 ns 플래시 64m x 16 평행한 100ns
M29DW128F60ZA6E Micron Technology Inc. M29DW128F60ZA6E -
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29DW128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 136 비 비 128mbit 60 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
N25Q128A13ESEH0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEH0E -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
M29F200FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F200FT55N3E2 -
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 2mbit 55 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 55ns
M29W400DT70N1 Micron Technology Inc. M29W400DT70N1 -
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U -
RFQ
 ECAD 4244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACJG-5 IT -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT25QL128ABA1EW7-MSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-MSIT -
RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-023 WT : B TR 37.2450
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F1G64D4ZV-023WT : BTR 2,500
M29F800FB52M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FB52M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELHBBG1-3R : b -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 980 333 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
ECF620AAACN-C2-Y3-ES Micron Technology Inc. ECF620AAACN-C2-Y3-ES -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 ECF620 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1
ECY4008AACS-Y3 Micron Technology Inc. ECY4008AACS-Y3 -
RFQ
 ECAD 1436 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0041 1 확인되지 확인되지
MT41J128M8JP-125:G TR Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-125 : G TR -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J128M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 128m x 8 평행한 -
MT53E1536M32D4DE-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT ES : C TR 30.2400
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046WTES : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 1.5GX 32 평행한 18ns
M29W320DB90N6 Micron Technology Inc. M29W320DB90N6 -
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 32mbit 90 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 90ns
MT29F2G01AAAEDH4:E Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4 : e -
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
M58BW32FB5T3F TR Micron Technology Inc. M58BW32FB5T3F TR -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 80BQFP M58BW32 플래시 - 아니오 2.5V ~ 3.3V 80-PQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 500 비 비 32mbit 55 ns 플래시 1m x 32 평행한 55ns
MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 TR 16.7100
RFQ
 ECAD 4821 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112TR 2,000
MT53E768M64D4HJ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 9885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT : ATR 쓸모없는 2,000
MT25QL128ABB1EW7-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CAUT -
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F2G08AACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AACWP : C Tr -
RFQ
 ECAD 2044 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MTFC16GAKAENA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAENA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MTFC16GAKAECN-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-5M AIT TR -
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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