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메모리 (10402)

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MT53E1G32D4NQ-046 WT:F Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT : f -
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 557-MT53E1G32D4NQ-046WT : f 쓸모없는 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 -
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-AAT : E TR 3.7059
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
M25PX80-VMP6TG0M TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0M TR -
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AATES : f -
RFQ
 ECAD 3067 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 24-TBGA MT29F4G01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 4gbit 플래시 4g x 1 SPI -
MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A AIT : J TR -
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
N25Q064A13EW94ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW94ME -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT47H64M16HR-3 IT:G Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 IT : g -
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E2T08CTCCBJ7-6 : C TR -
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29E2T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT29F8G01ADAFD12-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01ADAFD12-IT : F TR -
RFQ
 ECAD 9824 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F8G01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT29F8G01ADAFD12-IT : FTR 쓸모없는 8542.32.0071 2,000 83MHz 비 비 8gbit 플래시 8g x 1 SPI -
M29W640GB70N3F TR Micron Technology Inc. M29W640GB70N3F TR -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-IT : C TR -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT47H128M4B6-25E:D TR Micron Technology Inc. MT47H128M4B6-25E : D TR -
RFQ
 ECAD 1871 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT53D512M64D8HR-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 3728 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53D512M64D8HR-053WT : BTR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADAFAH4-AAT : F TR 9.2550
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F8G08ADAFAH4-AAT : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT48LC16M16A2P-6A:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A : D TR -
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MTFC256GBCAQTC-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC256GBCAQTC-AAT TR 82.8625
RFQ
 ECAD 8045 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC256GBCAQTC-AATTR 2,000
MT62F1536M32D4DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 IT : B TR 37.6950
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F1536M32D4DS-023IT : BTR 2,000
MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AAT : A TR 63.1350
RFQ
 ECAD 4881 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E2G32D4DE-046AAT : ATR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 3.5 ns 음주 2G X 32 평행한 18ns
MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AMCBBH2-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F8T08EULCHD5-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-R : C TR 167.8050
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F8T08EULCHD5-R : CTR 2,000
MT35XU01GBBA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA2G12-0AUT TR 18.8850
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT35XU01GBBA2G12-0Auttr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
MT53D512M16D1DS-046 IT:D Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 IT : d 8.5200
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-WFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53D512M16D1DS-046IT : d 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 - -
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-AAT : f 2.9984
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F1G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT29F1G01ABAFD12-AAT : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAH4-ait : D TR -
RFQ
 ECAD 6329 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT41J256M16HA-093:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-093 : E TR -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT60B4G4HB-48B:A Micron Technology Inc. MT60B4G4HB-48B : a 20.7150
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 82-VFBGA sdram -ddr5 - 82-VFBGA (9x11) - 557-MT60B4G4HB-48B : a 1 2.4GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 4G X 4 평행한 -
MT46H64M16LFBF-5 AIT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-5 AIT : b 7.0374
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,782 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 AIT : B TR -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U Micron Technology Inc. MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U -
RFQ
 ECAD 7522 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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