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메모리 (10402)

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MT53E768M32D4DT-053 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AUT : e 50.2500
RFQ
 ECAD 1728 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E768M32D4DT-053AUT : e 136 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E4T08EYHBBG9-3ES : b -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E4T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 980 333 MHz 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AIT : g -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT : E TR 6.6000
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-ITZ : a 46.5700
RFQ
 ECAD 657 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
EDFB164A1MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-GD-FD -
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) EDFB164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 800MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT48LC16M8A2BB-6A AIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A AIT : L TR -
RFQ
 ECAD 7025 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 12ns
M29W400BB90N1 Micron Technology Inc. M29W400BB90N1 -
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 90ns
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-053 WT ES : d -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES : d -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT47H256M8THN-25E:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E : h -
RFQ
 ECAD 2412 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H256M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 256m x 8 평행한 15ns
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
PC28F640J3F75B TR Micron Technology Inc. PC28F640J3F75B TR -
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 64mbit 75 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 75ns
M58WR064KT7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR064KT7AZB6E -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA M58WR064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-VFBGA (7.7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 336 66MHz 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
MT44K32M18RB-107E IT:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E IT : b -
RFQ
 ECAD 8849 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 32m x 18 평행한 -
M45PE40-VMP6G Micron Technology Inc. M45PE40-VMP6G -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M45PE40 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAWP-IT : e -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
PC28F128G18AE Micron Technology Inc. PC28F128G18AE -
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 128mbit 96 ns 플래시 8m x 16 평행한 96ns
MT29F8G08ADBDAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4 : D TR -
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
TE28F640P33B85A Micron Technology Inc. TE28F640P33B85A -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F640P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
M29F200BB70M6E Micron Technology Inc. M29F200BB70M6E -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 16 비 비 2mbit 70 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 70ns
MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCBBG6-6R : B TR -
RFQ
 ECAD 6372 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-LFBGA MT29F2T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT29F16G08DAAWP-ET:A TR Micron Technology Inc. MT29F16G08DAAWP-et : A TR -
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 -
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 쓸모없는 1 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V -
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,520
JS28F512P30EFA Micron Technology Inc. JS28F512P30EFA -
RFQ
 ECAD 1897 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 110ns
M28W160CB70N6F TR Micron Technology Inc. M28W160CB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M28W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT44K16M36RB-093F:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093F : b 62.1450
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 7.5 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT41K256M16LY-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K256M16LY-107 : N TR -
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
PC28F256J3D95A Micron Technology Inc. PC28F256J3D95A -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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